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[判断题]

硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大。（)

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发布时间：2022-06-01

更多“硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大。()”相关的问题

第1题

测得放大电路中6只晶体管的直流电位如图4.38所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

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第2题

测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为（)。

A.NPN型锗管

B.NPN型硅管

C.PNP型硅管

D.PNP型锗管

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第3题

将一n型锗切成厚度为2α的大簿片，样品的长和宽足够大，使得边界效应可以忽略，从而使样品中光生载流子的输运基

本是一维的，上下表面的复合速度都为s，然后将一束一定波长并足以穿透样品而没有显著吸收，但仍与本征吸收限接近，足以激发出可检测的电子—空穴对浓度。求稳定状态时样品中各点的光生载流子浓度。

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第4题

某只工作在放大状态的三极管，测得其三个管脚对地的电位分别是6V、5.3V、1V。由此判定出该管是（)。

A.NPN锗管

B.PNP锗管

C.NPN硅管

D.PNP硅管

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第5题

一般硅二级管的死区电压为()，锗二级管的死区电压约为()。

一般硅二级管的死区电压为（)，锗二级管的死区电压约为（)。

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第6题

两只处于放大状态的三极管，测得①、②、③脚对地电位分别为-8V、-3V、-3.2V和3V、12V、3.7V，试判断管脚名称，并说明是

PNP型管还是NPN型管，是硅管还是锗管？

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第7题

对均匀半导体施加均匀电场，并在表面光注入非平衡载流子，此时半导体中的载流子运动不包括：（)。

A.平衡载流子(电子和空穴)的扩散运动

B.平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动

C.非平衡载流子(电子和空穴)的漂移运动

D.非平衡载载流子(电子和空穴)的扩散运动

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第8题

若图4.11中已知VCC=20V，RB=500kΩ，RC=5kΩ，晶体管为NPN型硅管，β=50，试求电路的静态工作点。

若图4.11中已知V_CC=20V，R_B=500kΩ，R_C=5kΩ，晶体管为NPN型硅管，β=50，试求电路的静态工作点。

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第9题

漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。（)

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第10题

有一种物质广泛存在于自然界中，它是制作计算机芯片的主要材料，这种物质是（）。A.镍B.硅

有一种物质广泛存在于自然界中，它是制作计算机芯片的主要材料，这种物质是（）。

A.镍

B.硅

C.碳

D.锗

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第11题

PN结的净电流为零的原因是：空间电荷区自建电场使载流子的漂移运动和扩散运动达到动态平衡。（)

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