试比较SRAM、DRAM、FlashMemory的性能特点。若某应用设计需要一种既可高速改写，又能在掉电时保存数

，DRAM有CS、wE等控制信号，数据总线是双向。CPU有MERQ、R／W等控制信号(表示低电平有效)。 (1)写出DRAM控制器内部的逻辑部件名称； (2)从0000H开始安排32K×8位SRAM，从A000H安排8K×8位DRAM，画出CPU的DRAM存储器连接电路图(包括74LS138等组成的片选电路、DRAM控制器，DRAM控制器仅要求画出输入、输出信号)； (3)设DRAM读／写周期为0．5μs，CPU在1μs内要访问内存1次或2次，平均1μs访存约1．2次，刷新周期为2ms。有哪几种刷新方式，采用哪种刷新方式比较合理，并说明采用的刷新方式的时间参数和理由。

A.SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失

B.SRAM的集成度比DRAM高

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.CPU中的cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ

A.DRAM 256K×1位

B.DRAM 64K×4位

C.SRAM 64K×4位

D.SRAM 16K×8位

SRAM和DRAM存储器都需要电容充电刷新。( )

A.SRAM

B.DRAM

C.EPROM

D.SDRAM