关于多晶硅和非晶硅电池,以下说法错误的是()
A.在扩散运动中,只有注入的少子存在很大的浓度梯度,因此扩散电流主要是由少子贡献。
B.非晶硅对可见光谱的吸收很强,是晶硅的500倍,整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍,因此非晶硅电池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的,因此它们的基本结构是相同的。
D.与晶体硅电池相比,非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应),但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
A.在扩散运动中,只有注入的少子存在很大的浓度梯度,因此扩散电流主要是由少子贡献。
B.非晶硅对可见光谱的吸收很强,是晶硅的500倍,整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍,因此非晶硅电池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的,因此它们的基本结构是相同的。
D.与晶体硅电池相比,非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应),但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
第6题
A.非晶硅型FPD外形类似X线胶片的暗盒,是一种半导体探测器
B.非晶硒型平板探测器主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成
C.非晶硅平板探测器的探测元阵列的作用是捕获可见荧光并转换成电信号
D.非晶硅平板探测器中使用的碘化铯晶体的X射线吸收系数是X射线能量的函数
E.非晶硒导电特性是在处于普通日光照射下是绝缘体,在X线照射下会有导电现象,且导电率随X线强度的增加而增加
第8题
A.可以多次缩颈
B.为了能拉出与籽晶相同的硅锭
C.为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
D.为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸
第9题
A.制造冶金硅的主要原料之一
B. 能与HF反应
C. SiO2不溶于水,但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐,反应较快
D. 石英是地壳中分布很少的矿物质
第10题
现代计算机大多采用集成电路,在集成电路生产中所采用的基本材料多数为____。
A.单晶硅
B.非晶硅
C.锑化钼
D.硫化镉
第11题