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[主观题]

关于心轮烯反转势垒,至少要从利于平面性和不利于平面性两方面的原因来考虑。讨论上述两方面的因素及其它可能

因素对形成10.2kcal/mol的势垒的影响。
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更多“关于心轮烯反转势垒,至少要从利于平面性和不利于平面性两方面的原因来考虑。讨论上述两方面的因素及其它可能”相关的问题

第1题

提出测量心轮烯反转势垒的实验方法。(提示:考虑单取代心轮烯的对称性)。

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第2题

能量为30eV的电子入射在高为40eV折方势垒,如果势垒的宽度为(1)1.0nm;(2)0.1nm,求电子穿透该势垒

能量为30eV的电子入射在高为40eV折方势垒,如果势垒的宽度为(1)1.0nm;(2)0.1nm,求电子穿透该势垒的概率各为多少?比较(1)(2)的结果能得出什么启示?

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第3题

在一金属-绝缘体势垒中,外电场=104V/cm,在相对介电常数εr分别为4和12时计算和xm.

在一金属-绝缘体势垒中,外电场在一金属-绝缘体势垒中,外电场=104V/cm,在相对介电常数εr分别为4和12时计算和xm.在一金=104V/cm,在相对介电常数εr分别为4和12时计算在一金属-绝缘体势垒中,外电场=104V/cm,在相对介电常数εr分别为4和12时计算和xm.在一金和xm

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第4题

半导体二极管按势垒的结构分类,可分为点接触型二极管和整流二级管()
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第5题

PN 结电容等效为势垒电容和扩散电容相(),当外加电压为正偏时,()电容决定了结电容的大小。

PN 结电容等效为势垒电容和扩散电容相(),当外加电压为正偏时,()电容决定了结电容的大小。

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第6题

画出金属在P型半导体上的肖特基势垒的能带图,忽略表面态.指出:>和<两种情形是整流结还是非整流结,并确定

画出金属在P型半导体上的肖特基势垒的能带图,忽略表面态.指出:>和<两种情形是整流结还是非整流结,并

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第7题

粒子在双δ势垒 V(x)=V0[δ(x+a)+δ(x-a)] 作用下运动,求共振态能级.

粒子在双δ势垒

V(x)=V0[δ(x+a)+δ(x-a)]

作用下运动,求共振态能级.

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第8题

下列关于心舍增益房源插座说法正确的是()

A.起居室功能最少保证 6 个插座

B.起居室插座至少包括:空调三孔插座*1,沙发处*1,电视*1,光猫*1,路由器*1,餐桌*1

C.厨房橱柜附近保证至少有一个空余五孔,供客户使用其他电器(例:电饭煲、料理机,微波炉等)

D.厨房、卫生间插座面板必须安装防水盒,且有地线

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第9题

()二极管适合小电压大电流整流;

A.肖特基势垒

B.快速恢复

C.超快速恢复

D.普通

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第10题

半导体二极管当正偏时,势垒区变窄,此时扩散电流小于漂移电流。()
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