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[主观题]

图LT4-15所示电路,已知场效应管的gm、三极管的β、rbc及各电阻值,rds与rce忽略不

计.(1)试指出放大电路由哪两种组态组合而成.(2)写出R1、R0、Av的表达式.

图LT4-15所示电路,已知场效应管的gm、三极管的β、rbc及各电阻值,rds与rce忽略不计.(

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更多“图LT4-15所示电路,已知场效应管的gm、三极管的β、rbc及各电阻值,rds与rce忽略不”相关的问题

第1题

图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,试分别求出V

图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.

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第2题

由N沟道结型场效应管构成的电路如下图(a)所示,已知场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-3.5V。试:

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第3题

场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,

场效应管放大电路如下图所示,已知gm=2mS,

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第4题

电路如下图所示,已知场效应管gm=2mS,试求:

电路如下图所示,已知场效应管gm=2mS,试求:

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第5题

共源极放大电路如下图所示,已知场效应管gm=1.2mS,画出该电路交流通路和交流小信号等效电路,求Au、Ri、Ro。

共源极放大电路如下图所示,已知场效应管gm=1.2mS,画出该电路交流通路和交流小信号等效电路,求Au、Ri、Ro

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第6题

试计算图3.6.2(a)所示电路中门G最多可以驱动多少个负载门。已知G0和负载门G1,…,Gn均为LSTTL与非门

试计算图3.6.2(a)所示电路中门G最多可以驱动多少个负载门。已知G0和负载门G1,…,Gn均为LSTTL与非门,它们的输入特性和输出特性由图3.6.2(b),(c),(d)给出。由于功耗的限制,规定高电平输出电流不能超过400μA。要求门G0的输出电平满足VOH≥3.2 V,VOL≤0.25 V。

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第7题

图所示的电路中,已知us、is、R1、R2、R3、α,求i。

图所示的电路中,已知us、is、R1、R2、R3、α,求i。

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第8题

根据已知条件求图所示电路的Uab,

根据已知条件求图所示电路的Uab

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第9题

已知图所示电路和元件功率,试求未知电压电流。

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第10题

已知图2-13所示电路中,uR=311sin(ωt+30°)V,R=20Ω,求电路中的电流和有功功率。

已知图2-13所示电路中,uR=311sin(ωt+30°)V,R=20Ω,求电路中的电流和有功功率。

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第11题

用复频域分析法求图(a)所示电路的零状态响应u0(t)。已知iS(t)=2e-2tε(t)A。

用复频域分析法求图(a)所示电路的零状态响应u0(t)。已知iS(t)=2e-2tε(t)A。

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