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[单选题]

在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于（)状态，（)导电沟道。

A.积累，无

B.耗尽，无

C.反型，有

D.积累，有

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发布时间：2022-07-10

更多“在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于()状态，()导电沟道。”相关的问题

第1题

p沟增强型MOS管的开启电压为___，沟道中导电载流子为___。

A.正值，电子

B.正值，空穴

C.负值，电子

D.负值，空穴

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第2题

以下关于MOS管跨导的说法中，错误的是（)。

A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D.MOS管的跨导越大，电压增益也越大

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第3题

试定性画出P沟道增强型MOS场应管的转移特性和输出特性曲线。

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第4题

结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别？

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第5题

试确定图2．4．1所示各增强型MOS管工作状态。已知各MOS管的∣VT∣=2 V，忽略电阻上的压降。

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第6题

增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（)。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第7题

图LP3-16所示为采用非线性补偿的有源电阻器,N沟道增强型MOS管T₁、T₂工作在变阻区,试证

明:

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第8题

推导结型场效应四级管的电流-电压关系，在该四级管中，两个栅极是分开的，两个栅上的外加电压为VG1和VG2．假设

推导结型场效应四级管的电流-电压关系，在该四级管中，两个栅极是分开的，两个栅上的外加电压为V_G1和V_G2．假设为单边突变结．

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第9题

要迫使MOS管工作在饱和区，可以在工作时将栅和源短接在一起，则沟道总是被夹断的。（)

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第10题

由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示，试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路，推导电压

放大倍数A_u=u_o/u_i、输入电阻R_i和输出电阻R_o的计算公式。

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第11题

下列关于存储器的论述中，正确的是（)。A．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高B．常用

下列关于存储器的论述中，正确的是()。

A．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高

B．常用的EPR，OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成，出厂时存储内容为全“0”

C．SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息，所以不需要刷新

D．双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高

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