题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
Intel 2114为1K×4位的存储器，要组成64KB的主存储器，需要( )片该芯片。
A.16
B.32
C.48
D.128
答案
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A.16
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第2题
RAM 2114芯片(容量为1 K×4位)和3线-8线译码器74HCl38的简化框图如图6．4．3所示，试用这两种类型的芯片组成4 K×8位的存储器系统，写出设计思想，画出逻辑图。
第3题
,读/写信号线R/W。请回答：
1、画出该存储芯片级逻辑图，包括地址总线、数据线、片选信号线(低电平有效)及读/写信号线的连接。
2、将地址总线A15～A0中的哪几位分配给存储芯片，并写出各片选信号的逻辑式，即CS0=？CS1=？CS2=？CS3=？
第5题
电平为读，低电平为写)。现有下列存储芯片：1K×4位RAM，4K×8位RAM，2K×8位ROM，以及74138译码器和各种门电路，如图所示。画出CPU与存储器连接图，要求：1.主存地址空间分配：8000H～87FFH为系统程序区;8800H～8BFFH为用户程序区。
2.合理选用上述存储芯片，说明各选几片？
3.详细画出存储芯片的片选逻辑。
第6题
一个1K×4位的动态RAM芯片，若其内部结构排列成64×64形式，且存取周期为0．1μs。 (1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式，刷新信号周期应该取多少？ (2)若采用集中刷新，则对该存储芯片刷新一遍需多少时间？死时间率是多少？
