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[主观题]

在非参量型广义符号检测中,已知P(R=l|H1)为 证明当k→∞时,该P(R=l|H1)为

在非参量型广义符号检测中,已知P(R=l|H1)为

在非参量型广义符号检测中,已知P(R=l|H1)为     证明当k→∞时,该P(R=l|H1)为在

证明当k→∞时,该P(R=l|H1)为

在非参量型广义符号检测中,已知P(R=l|H1)为     证明当k→∞时,该P(R=l|H1)为在

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更多“在非参量型广义符号检测中,已知P(R=l|H1)为 证明当k→∞时,该P(R=l|H1)为”相关的问题

第1题

RL串联电路中,已知R=10Ω,L=1H,外加交流电压源u(t)=20sin(10t+30°)V,在关联参考方向下,求:Z、I、P、Q、

RL串联电路中,已知R=10Ω,L=1H,外加交流电压源u(t)=20sin(10t+30°)V,在关联参考方向下,求:Z、I、P、Q、S、cosφ。

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第2题

RLC串联电路中,已知R=60Ω、L=90mH、C=100μF,外加电压u(t)=311sin(1000t+30°)V,在关联参考方向下,求:、、、、P、Q、S

RLC串联电路中,已知R=60Ω、L=90mH、C=100μF,外加电压u(t)=311sin(1000t+30°)V,在关联参考方向下,求:RLC串联电路中,已知R=60Ω、L=90mH、C=100μF,外加电压u(t)=311sin(10RLC串联电路中,已知R=60Ω、L=90mH、C=100μF,外加电压u(t)=311sin(10RLC串联电路中,已知R=60Ω、L=90mH、C=100μF,外加电压u(t)=311sin(10RLC串联电路中,已知R=60Ω、L=90mH、C=100μF,外加电压u(t)=311sin(10、P、Q、S、cosφ,并作相量图。

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第3题

在RLC串联电路中,外加电压u=(100+60cos ωt+40cos 2ωt)V,已知R=30Ω,ωL=40Ω,,试写出电路中电流i的瞬时值表达

在RLC串联电路中,外加电压u=(100+60cos ωt+40cos 2ωt)V,已知R=30Ω,ωL=40Ω,在RLC串联电路中,外加电压u=(100+60cos ωt+40cos 2ωt)V,已知R=30Ω,,试写出电路中电流i的瞬时值表达式,并求I和P。

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第4题

RL串联电路中,已知R=10Ω,L=1H,外加交流电压源u(t)=20sin(10t+30°)V,在关联参考方向下求:i(t)、I、有功功率P、

RL串联电路中,已知R=10Ω,L=1H,外加交流电压源u(t)=20sin(10t+30°)V,在关联参考方向下求:i(t)、I、有功功率P、无功功率Q、视在功率S、功率因数cosφ。

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第5题

在图所示机构中,已知:梁长为L,其重不计,匀质轮B重Q,半径为r,其上作用一力偶矩为M的常值力偶,物C重P。试求:

在图所示机构中,已知:梁长为L,其重不计,匀质轮B重Q,半径为r,其上作用一力偶矩为M的常值力偶,物

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第6题

RLC串联电路,已知R=60Ω、L=90mH、C=100μF,外加电压u(t)=220sin(1000t+60°)V,在关联参考方向下,求:、、、、P、Q、S、c

RLC串联电路,已知R=60Ω、L=90mH、C=100μF,外加电压u(t)=220sin(1000t+60°)V,在关联参考方向下,求:RLC串联电路,已知R=60Ω、L=90mH、C=100μF,外加电压u(t)=220sin(100RLC串联电路,已知R=60Ω、L=90mH、C=100μF,外加电压u(t)=220sin(100RLC串联电路,已知R=60Ω、L=90mH、C=100μF,外加电压u(t)=220sin(100RLC串联电路,已知R=60Ω、L=90mH、C=100μF,外加电压u(t)=220sin(100、P、Q、S、cosφ,并作相量图。

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第7题

已知RL串联电路。外加电压,R=20Ω,L=63.7mH,试求i、I和P。

已知RL串联电路。外加电压已知RL串联电路。外加电压,R=20Ω,L=63.7mH,试求i、I和P。已知RL串联电路。外加电压,R=20Ω,L=63.7mH,试求i、I和P。

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第8题

RL串联电路,已知R=40Ω,ωL=30Ω,通过非正弦电流i=(1+2sinωt)A,求在关联参考方向下,此电路的端电压。

RL串联电路,已知R=40Ω,ωL=30Ω,通过非正弦电流i=(1+2sinωt)A,求在关联参考方向下,此电路的端电压。

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第9题

已知U=220V,I=4A,P=160W,f=50Hz,试求R、L。

已知U=220V,I=4A,P=160W,f=50Hz,试求R、L。

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第10题

在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟,在室温(300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度

在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟,在室温(300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度为Na1=1016/cm3,硼的电离能为Ea1-Ev=0.045eV,铟的电离能为Ea2-Ev=0.16eV,试求样品中铟的浓度Na2[室温下为Nv=1.04×1019/cm3,μp=200cm2/(V·s)]。

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