晶体管工作在低频时，混合π形等效电路中集电结和发射结电容都可忽略。（)

A.放大状态

B.截止

C.饱和区

D.导通状态

一低频功率晶体管LM3886，由手册查得装置散热片后，若，试求T_a0=25℃及T_a=60℃时采用散热片前后的最大允许管耗P_CM，并进行分析。

A.模拟量

B.继电器

C.晶体管

D.晶闸管

p42:2-5设有一台10kVA、2200/220V、单相变压器，其参数如下r₁=3.6Ω，r₂=0.036Ω，x_k=x₁+x’₂=26Ω；在额定电压下的铁芯损耗P_Fe=70w，空载电流I₀为额定电流的5%。假设一、二次绕组的漏抗如归算到同一方时可作为相等，试求（1）各参数的标幺值，并绘出该变压器的T形等效电路；（2）设变压器二次电压和二次电流为额定值，且有cosθ₂=0.8滞后功率因数，求一次电压和电流。

由于晶体管存在寄生电容C_b'c在高频时形成内反馈，从而影响到调谐放大器工作的稳定性。( )

一台三相变压器，SN=1000kVA，Yd接法，U1N/U2N=10/6.3kV，空载实验当U1=U1N，空载损耗P0=4.9kW，空载电流标幺值I0*=0.05；当短路电流为稳态额定值时，测取短路损耗PK=15kW，短路电压的百分数Uk*=5.5%，试求（1）归算到一次侧的等效电路中的rm，Xm，rm*，Xm*，rk，Xk，rk*，Xk*；（2）已知r1=r’2，X1=X’2，画出T形等效电路，简化等效电路，电路图上的参数用实际值表示。