因材料温度系数的不同，由GaAs（砷化镓)半导体材料制作的霍尔元件适合选用恒流驱动方式;而由InSb（锑化铟)半导体材料制作的霍尔元件适合选用恒压驱动方式。（)

A.硅电池

B.硫化镉电池

C.砷化镓电池

D.以上都是

A.二氧化碳

B.砷化镓

C.红宝石晶体

D.铷玻璃

差。而2010年获得诺贝尔物理学奖的 ______ 即使被切成1纳米宽的元件，导电性也很好。因此，它被普遍认为会最终替代硅，从而引发电子工业革命。

A．热敏材料

B．砷化镓材料

C．光敏材料

D．石墨烯材料

晶硅薄膜电池组件等，其中________________约占市场的80%-90%。

折射率为n₂=3.4，发光管外为空气(n₁=1)，为进一步提高输出光功率，常在球形表面涂敷一层减反射膜，如图所示，如果要求完全相消反射，减反射膜的折射率n应满足，该反射膜的折射率n和最小厚度e应为多大？

A.材料的组分

B.热流方向

C.湿度

D.温度

E.表观密度与孔隙特征

某燃烧炉的炉壁(平壁)由三种材料组成，从内向外依次为：第一层耐火砖，导热系数为1.2W/(m·℃)，厚度为200mm；第二层绝热砖，导热系数为0.16W/(m·℃)，厚度为260mm；第三层普通砖，导热系数为0.92W/(m·℃)，厚度为230mm。各层砖间接触良好。现测得炉内壁温度为1100℃，炉外壁温度为40℃。求单位面积炉壁上的热损失及各层界面处的温度。

锅炉炉墙由三层材料组成：内层为耐火砖，厚度为230mm，导热系数为1.1 W/（m·K);中间层为石棉隔热

层，厚度为60mm，导热系数为0.1 W/(m·K);外层维红砖，厚度为240mm，导热系数为0.58 W/(m·K)。已知炉墙内、外表面的温度分别为500℃和50℃，试求通过炉墙的热流密度和各层接触面处的温度。

图示结构由三根同材料、同截面、等长的杆组成。已知杆长l=0.5m，横截面面积A=120mm²，弹性模量E=200GPa，线膨胀系数α_l=12×10^-6/℃，求当温度降低30℃时，三杆内的应力。

A.非晶硅

B. GaAs

C. InP

D. CdTe

______________ 高，使绝大部分的可见光在材料表面2μm以内就被吸收，电池可采用薄层结构，相对节约材料是其中之一。