题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
下面几种说法中正确的是（)。
A.电势均匀的空间，电场强度一定为零
B.电场强度不同的的空间，电势一定为零
C.电势较高处，电场强度一定较大
D.带正电的金属导体的电势一定是正的
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（请给出正确答案）
A.电势均匀的空间，电场强度一定为零
B.电场强度不同的的空间，电势一定为零
C.电势较高处，电场强度一定较大
D.带正电的金属导体的电势一定是正的
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第2题
钒具有下列几种氧化态，其还原电势可用c(H+)=1mol·dm-3时的元素电势图表示：
①钒如能溶解在稀酸中，将以何种氧化态存在？试写出化学反应方程式。
②写出V3+/V电对的Eθ。
③在这些不同氧化态物质间能否发生歧化反应？如能发生请写出化学反应方程式。
④将V放入含有V3+的溶液中，有无反应发生？若有请写出化学反应方程式。
第3题
下面几种说法中，不正确的是（）。
A．接受抄送的机关不可以向其他机关抄送
B．在公文中，完全句是主要的，只有在为使语言简洁且又不会对语义造成损伤的情况下才使用省略句
C．向上级机关请求批示或批准宜用“请示”而不用“报告”
D．主送机关必须是受文机关中级别层次高的机关，抄送机关则必须是级别层次低的机关
第4题
A.关键字是关系中能够用来唯一标识元组的属性
B.在一个关系中，关键字的值不能为空
C.一个关系中的所有候选关键字均可以被指定为主关键字
D.关键字只能由单个的属性组成
第5题
已知：“int a[10]，*p=a；”则下面说法不正确的是()。
A．p指向数组元素a[0]
B．数组名a表示数组中第一个元素的地址
C．“int a[10]，*p=＆a[0]；”与上述语句等价
D．以上均不对
第7题
A.霍尔传感器具有在静态下感受磁场的能力。
B.当控制电流不变时，霍尔电势正比于磁感应强度。
C.当控制电流、磁感应强度均变时，传感器的输出与二者的乘积成正比。
D.当磁感应强度恒定不变时，霍尔电压与控制电流成反比。
第8题
A.M2+不能发生歧化反应
B.M2+是强氧化剂
C.M是强还原剂
D.M4+ 与M 反应生成M2+
第9题
A.检验电荷q0在静电场中某点的电势能越大，则该点的电势就越高
B.静电场中任意两点间的电势差的值，与检验电荷q0有关，q0越大，电势差值也越大
C.静电场中任一点电势的正、负与电势零点的选择有关，任意两点间的电势差与电势零点的选择无关
D.静电场中任意两点间的电势差与电势零点的选择有关，对不同的电势零点，电势差有不同的数值
第11题
下面程序应能对两个整型变量的值进行交换。以下正确的说法是()。 Void swap(int p，int q) { int t； t=p， p=q； q=t； ) void main() { int a=10，b=20； printf(“(1)a=％d，b=％d＼n”，a，b)； swap(＆a，＆b)； printf(”(2)a=％d，b=％d＼n”，a，b)； )
A．该程序完全正确
B．该程序有错，只要将语句“swap(＆a，&b)；”中的参数改为a，b即可
C．该程序有错，只要将swap函数中的形参p和q以及t均定义为指针(执行语句不变)即可
D．以上说法都不对
