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[主观题]

N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子,P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。

N 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子,P 型半导体是在本征半导体中掺入了()价元素的原子。N型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的。

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第1题

N型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

A.空穴

B.三价元素

C.五价元素

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第2题

P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。
P型半导体是在本征半导体中掺入()价杂质形成的,其多子是(),少子是()。

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第3题

在本征半导体中加入微量的3价元素,就得到P型半导体,内部载流子数量大大增加,且多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。()
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第4题

本征半导体中掺入微量______价元素可形成P型半导体,其多数载流子为______。
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第5题

300K时,在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导体,欲使得锗中的费米能级低于导带底能量O.15eV
,施主掺杂陈度ND为()。

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第6题

何谓本征半导体、P型半导体和N型半导体?它们在导电性能上各有何特点?
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第7题

本征半导体中掺入适量的施主杂质可以形成P型半导体。()

本征半导体中掺入适量的施主杂质可以形成P型半导体。()

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第8题

在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素)就形成了杂质半导体。()
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第9题

下列关于费米能级的说法错误的是()。

A.费米能级表征电子的填充情况,费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小,费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大

B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近

C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶

D.N型半导体掺杂越高,费米能级离禁带中央越远

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第10题

在本征半导体中,本征激发到空带中的电子数目大于余下的满带中的空穴数目。()
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第11题

在下列公式中计算本征半导体费米能级的是()。

在下列公式中计算本征半导体费米能级的是()。

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