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[主观题]
P+N结杂质分布为Nd=Nd（0)exp（-x/L)．
P+N结杂质分布为Nd=Nd(0)exp(-x/L)．
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P+N结杂质分布为Nd=Nd(0)exp(-x/L)．
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更多“P+N结杂质分布为Nd=Nd（0)exp（-x/L)．”相关的问题
第2题
考虑一个硅PN结太阳电池，其面积为2cm2．若太阳电池掺杂浓度为Na=1.7×1016cm-3，Nd=5×1019cm-3)且已知τn=10μs，τp=0.5μs，Dn=9.3cm2/s，Dp=2.5cm2/s，IL=95mA．在室温下：
第3题
若设一个硅突变结，其两边杂质浓度分别为NA=1017/cm3，ND=4.5×1015/cm3，求其势垒高度和xD的值。若结上加10V反偏电压时，求xD值。
第4题
文法G(N)和G(S)为 G(N)：N→NE｜E｜ND｜D G(S)：S→S(S)S｜ε E→0｜2｜4｜6｜8｜10 D→0｜1｜2｜…｜9 (1)文法G(N)和G(S)表示的语言分别是什么？ (2)证明文法G(N)和G(S)均为二义文法。 (3)改写文法G(N)和G(S)为等价的非二义文法。
第5题
某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm-3，少子寿命τp=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设ni=1.5×1010cm-3)？
第6题
有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm-3和ND=2×1016cm-3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm2/(V·s)和500cm2/(V·s)，n区中空穴和电子迁移率分别为300cm2/(V·s)和900cm2/(V·s)；设两区内非平衡载流子的寿命为lμs，pn结截面积为10-2cm2。当外加正向电压VF=0.65V时，
第7题
现有两个平凸透镜，其一是已知一个平凸透镜，其结构参数和初始数据如下：
tanω=-0.087488， l=∞， h=10mm， lz=-0.00001mm
r/mm | d/mm | nD | nF | nC |
∞ | ||||
3.63 | 1.5163 | 1.52196 | 1.5139 | |
-51.63 |
另一个反之，其结构参数和初始数据如下：
tanω=-0.087488， l=∞， h=10， lz=-0.00001
r/mm | d/mm | nD | nF | nC |
51.63 | ||||
3.63 | 1.5163 | 1.52196 | 1.5139 | |
∞ |
在入瞳边缘处：
1)计算各面实际球差分布。
2)计算各面初级球差分布。
3)计算各面高级球差分布。
第8题
A.对n型半导体，随着施主浓度ND的增加，费米能级EF从禁带中线逐渐向导带底方向靠近。
B.对p型半导体，随着受主浓度NA的增加，费米能级EF从禁带中线逐渐向价带顶方向靠近。
C.杂质半导体中载流子浓度和费米能级EF的位置由杂质浓度所决定，与温度无关。
D.在杂质半导体中，费米能级EF的位置不但反映了半导体的导电类型，而且还反映了半导体的掺杂水平。
第9题
已知一个物镜结构参数如下：
y=-1mm，l1=-48.75mm，sinU=-0.1，Lz1=0
r/mm d/mm nDnFnC
30.2181
3.8946 1.6164 1.62843 1.61159
12.2212
2.7669 1.4874 1.49226 1.48530
-25.1314
根据结构参数及初始数据，试求倍率色差展开式(取两项)。并绘出展开式的倍率色差曲线与光路计算求得的倍率色差曲线相比较，能说明什么问题？
