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[单选题]

设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（)。

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

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发布时间：2022-09-01

更多“设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是()。”相关的问题

第1题

p沟增强型MOS管的开启电压为___，沟道中导电载流子为___。

A.正值，电子

B.正值，空穴

C.负值，电子

D.负值，空穴

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第2题

由CMOS门组成的单稳态触发器如图7．1．1所示。其中VDD=5 V，VTH=0．4VDD，C=1 nF，VOL≈5 V，VOL≈0 V。

(1)设输入v1的波形如图7．3．1(a)所示，试画出v12及v0的波形。

(2)试确定电阻R的值，使输出脉冲宽度为10μs。

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第3题

结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别？

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第4题

图LP3-16所示为采用非线性补偿的有源电阻器,N沟道增强型MOS管T₁、T₂工作在变阻区,试证

明:

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第5题

由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示，试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路，推导电压

放大倍数A_u=u_o/u_i、输入电阻R_i和输出电阻R_o的计算公式。

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第6题

根据《压力管道定期检验规则----公用管道》(TSG D7004--2010)规定，GB2级管道，如果为管沟敷设或者架空敷设，管道本身、附属设施与安全保护装置定期检验参照工业管道、压力容器定期检验有关要求执行;如果为直埋敷设，定期检验按照本规则()燃气管道的要求进行。

A.高压

B.次高压

C.中压

D.次高压或中压

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第7题

设发光二极管正常工作时电流为5～15mA，电压降为2V。

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第8题

试定性画出P沟道增强型MOS场应管的转移特性和输出特性曲线。

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第9题

以下关于MOS倒相器的说法不正确的是（)。

A.NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器

B.当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD

C.当NMOS管导通时，输出电压VD下降

D.管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用

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第10题

试确定图2．4．1所示各增强型MOS管工作状态。已知各MOS管的∣VT∣=2 V，忽略电阻上的压降。

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第11题

开挖2m深度的坚土层时沟壁可不设边坡。（)

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