导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时，其电阻值发生相应变化的现象，称为（)。

如图所示，向半导体加一磁场B，从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体，在半导体表面附近产生电子—空穴对，当电子和空穴向半导体体内扩散时，受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离，于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。

A.电导率

B.电导

C.电阻

D.电位

A.研究变形体在外界因素作用下的变形和内力

B.研究构件在外界因素作用下的变形和内力

C.研究弹性体在外界因素作用下产生的变形和内力

D.研究杆件系统在外界因素作用下的内力和位移

A.压力平衡

B.液体

C.气体

D.温度

A.由光激发产生的电子，无法到达导带，与留在价带中的空穴通过库仑力结合在一起，形成一种处于激发状态的新系统

B.新系统中的电子和空穴不能单独移动

C.整个系统呈电中性

D.激子具有和孤立氢原子相同的量子化能级

E.新系统中的电子和空穴可以单独移动

F.通常半导体材料中的激子在室温下就可以观察到