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DRAM的分散式刷新名词解释

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发布时间：2022-10-04

更多“DRAM的分散式刷新名词解释”相关的问题

第1题

下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是（)。A．刷新操作按行进行，一次刷新一行中的全部存储单元

下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是()。

A．刷新操作按行进行，一次刷新一行中的全部存储单元

B．刷新所需的行地址是由DRAM内部的刷新计数器(行地址生成器)给出

C．集中刷新的“死时间”要大于异步刷新的“死时间”

D．分散刷新方式同样存在“死时间”

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第2题

下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是（)。A．刷新是指对DRAM中的存储电容重新充电B．刷新是通

下列关于DRAM刷新的说法中，错误的是()。

A．刷新是指对DRAM中的存储电容重新充电

B．刷新是通过对存储单元进行“读但不输出数据”的操作来实现

C．由于DRAM内部设有专门的刷新电路，所以访存期间允许进行刷新

D．刷新期间不允许访存，这段时间称为“访存死区(也叫死时间)”

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第3题

简述使用DRAM存储器芯片组成的存储器中，常用的刷新方法及它们的特点。

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第4题

DRAM中存储的数据如果不进行周期性的刷新，其数据将会丢失；而SRAM中存储的数据无须刷新，只要电源

不断电就可以永久保存，为什么？

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第5题

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：I，DRAM芯片的集成度比SRAM高II，DRAM芯片的成本比SRAM高II

I，DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ，DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是（）。

A．I和II

B．II和III

C．III和Ⅳ

D．I和Ⅳ

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第6题

某16位微型机主存地址码为24位，按字节编址，使用1M×1位的DRAM芯片组成，存储周期为0．1μs，请问该机

所允许的最大主存空间是多少？需用多少片DRAM芯片？若采用异步刷新方式，设存储元刷新最大间隔时间不超过8ms，则刷新定时信号的间隔时间是多少？

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第7题

下列关于存储器的论述中，正确的是（)。A．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高B．常用

下列关于存储器的论述中，正确的是()。

A．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高

B．常用的EPR，OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成，出厂时存储内容为全“0”

C．SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息，所以不需要刷新

D．双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高

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第8题

某机器的寻址空间为64K，数据总线为8位。现有8K×8位SRAM芯片，SRAM有CS和WE控制信号；4K×8位DRAM芯片

，DRAM有CS、wE等控制信号，数据总线是双向。CPU有MERQ、R／W等控制信号(表示低电平有效)。 (1)写出DRAM控制器内部的逻辑部件名称； (2)从0000H开始安排32K×8位SRAM，从A000H安排8K×8位DRAM，画出CPU的DRAM存储器连接电路图(包括74LS138等组成的片选电路、DRAM控制器，DRAM控制器仅要求画出输入、输出信号)； (3)设DRAM读／写周期为0．5μs，CPU在1μs内要访问内存1次或2次，平均1μs访存约1．2次，刷新周期为2ms。有哪几种刷新方式，采用哪种刷新方式比较合理，并说明采用的刷新方式的时间参数和理由。

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第9题

下列关于DRAM控制器功能的描述中，错误的是______。

A.提供DRAM刷新定时

B.按照DRAM刷新优先于读写的原则为DRAM提供仲裁

C.通过仲裁可以避免读写和刷新操作的冲突

D.产生符合DRAM操作的控制信号

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第10题

下面是有关DRAM和sRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM存储单元的结构比sRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中正确的是______。

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ