场效应管电路及场效应管转移特性均示于下图，已知us=0.1sinωt（V)，试求uGS、iD及uDS。

根据下图(a)、(b)所示场效应管输出特性曲线，分别作出u_DS=8V时的转移特性曲线。

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下g_m(t)的波形图，并导出混频跨导g_mc表达式。。

场效应管放大电路如下图所示，已知g_m=2mS,

场效应管的电路符号如下图所示，其中耗尽型NMOS场效应管的电路符号为( )。

电路如下图所示，已知场效应管g_m=2mS，试求：

共源极放大电路如下图所示，已知场效应管g_m=1.2mS，画出该电路交流通路和交流小信号等效电路，求A_u、R_i、R_o。