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[主观题]
已知图9－6，4511静态显示电路，显示数存在内RAM 40H～42H中，试编制显示子程序。
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已知图9-6，4511静态显示电路，显示数存在内RAM 40H～42H中，试编制显示子程序。
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第2题
已知图9-7，3位共阳型动态显示电路，显示数(≤255)存在内RAM 50H中，试编制3位动态扫描显示程序(循环10次)。要求显示程序分为3个子程序：
①显示数转换为百、十、个位显示数字，存在30H～32H；
②显示数字转换为显示字段码(需编写字段码表，显示字段码仍存在30H～32H)；
③循环扫描显示子程序。
第3题
取值1、0的二进制独立等概序列经(3，1，4)卷积编码(卷积编码器的约束长度K=4，移位寄存器级数为m=K－4=3)后，送至16QAM数字调制器，如图9-6所示。已知此卷积码的生成多项式是g1(x)=1，g2(x)=l+x2+x3， g3(x)=l+x+x2+x3。 (1)画出卷积码编码器电路； (2)求出图9-6中B、C处的码元速率，画出C点的功率谱密度图；
(3)画出16QAM的信号空间图，并求出星座图中最小的欧式距离平方和平均能量之比(假设采用常规矩形星座，各星座点等概出现)。
第5题
若图4.11中已知VCC=20V，RB=500kΩ，RC=5kΩ，晶体管为NPN型硅管，β=50，试求电路的静态工作点。
第9题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
第10题
在图LP2-17所示放大电路中，已知VBE(on)1=0．7 V，VBE(on)2=-0．25 V，β1=β2=100，试求T1和T2管的集电极静态电流IC1、IC2。
