设有若干片256K×8位的SRAM芯片，问：（1)采用字扩展法构成2 048 KB的存储器需要多少片SRAM芯片？

设有若干片256K×8位的SRAM芯片，问： (1)采用字扩展法构成2 048 KB的存储器需要多少片SRAM芯片？ (2)该存储器需要多少字节地址位？ (3)画出该存储器与CPU连接的结构图，设CPU的接口信号有地址信号、数据信号、控制信号MREQ和R／W。

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发布时间：2020-09-26

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第1题

设有若干片256K×8位的RAM芯片，问：

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第2题

设有32片256K×1位的SRAM芯片，问：（1)采用位扩展方法可构成多大容量的存储器？（2)该存储器需要

设有32片256K×1位的SRAM芯片，问： (1)采用位扩展方法可构成多大容量的存储器？ (2)该存储器需要多少字节地址位？ (3)画出该存储器与CPU连接的结构图，设CPU的接口信号有地址信号、数据信号、控制信号MREQ和R／W。

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第3题

欲组成64 K×8位存储器系统，若用SRAM 6264（8 K×8位)芯片，共需要________________片这样的芯片，地

欲组成64 K×8位存储器系统，若用SRAM 6264(8 K×8位)芯片，共需要________________片这样的芯片，地址线需要________________位，其中________________位作片选线，________________位作片内选择线。

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第4题

组合一个32KB内存，采用( )组件来组合最适合。

A.DRAM 256K×1位

B.DRAM 64K×4位

C.SRAM 64K×4位

D.SRAM 16K×8位

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第5题

某机器的寻址空间为64K，数据总线为8位。现有8K×8位SRAM芯片，SRAM有CS和WE控制信号；4K×8位DRAM芯片

，DRAM有CS、wE等控制信号，数据总线是双向。CPU有MERQ、R／W等控制信号(表示低电平有效)。 (1)写出DRAM控制器内部的逻辑部件名称； (2)从0000H开始安排32K×8位SRAM，从A000H安排8K×8位DRAM，画出CPU的DRAM存储器连接电路图(包括74LS138等组成的片选电路、DRAM控制器，DRAM控制器仅要求画出输入、输出信号)； (3)设DRAM读／写周期为0．5μs，CPU在1μs内要访问内存1次或2次，平均1μs访存约1．2次，刷新周期为2ms。有哪几种刷新方式，采用哪种刷新方式比较合理，并说明采用的刷新方式的时间参数和理由。

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第6题

某8位计算机采用单总线结构，地址总线17根(A16~0，A16为高位)，数据总线8根双向(D7~0)，控制信号(

某8位计算机采用单总线结构，地址总线17根（A16~0，A16为高位)，数据总线8根双向（D7~0)，控制信号（

高电平为读，低电平为写)。

已知该机存储器地址空间从0连续编址，其地址空间分配如下：最低8K为系统程序区，由ROM芯片组成;紧接着40K为备用区，暂不连接芯片;而后78K为用户程序和数据空间，用静态RAM芯片组成;最后2K用于I/O设备(与主存统一编址)。现有芯片如下：

SRAM：16K×8位，其中CS：为片选信号，低电平有效，WE：为写控制信号，低电平写，高电平读。

ROM：8K×8位，其中CS：为片选信号，低电平有效，OE：为读出控制，低电平读出有效。

译码器：3―8译码器，输出低电平有效;为使能信号，低电平时译码器功能有效。

其它“与、或”等逻辑门电路自选。

(1)请问该主存需多少SRAM芯片？

(2)试画出主存芯片与CPU的连接逻辑图。