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[主观题]

可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。 (1)试写出电路电压

可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。

可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。 (1)试写出电(1)试写出电路电压增

可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。 (1)试写出电的表达式; (2)当v1=+5 mV,Q3Q2Q1Q0=1001时,计算vO的值; (3)求出电压增益的最大值。

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更多“可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。 (1)试写出电路电压”相关的问题

第1题

某放大电路中Av的对数幅频特性如图题4.7.1所示。(1)试求该电路的中频电压增益|AVM|上限频率fH
某放大电路中Av的对数幅频特性如图题4.7.1所示。(1)试求该电路的中频电压增益|AVM|上限频率fH

下限频率fL(2)当输入信号的频率f=fL或f=fH时,该电路实际的电压增益是多少分贝?

某放大电路中Av的对数幅频特性如图题4.7.1所示。(1)试求该电路的中频电压增益|AVM|上限频率

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第2题

已知电路参数如图题5.2.9所示,FET工作点上的互导gm=1mS,设。(1)画出电路的小信号等效电路;(2)求电压增益Av;(

已知电路参数如图题5.2.9所示,FET工作点上的互导gm=1mS,设已知电路参数如图题5.2.9所示,FET工作点上的互导gm=1mS,设。(1)画出电路的小信号等效电。(1)画出电路的小信号等效电路;(2)求电压增益Av;(3)求放大电路的输入电阻Ri

已知电路参数如图题5.2.9所示,FET工作点上的互导gm=1mS,设。(1)画出电路的小信号等效电

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第3题

共集电极放大电路如图2-20(a)所示。已知:UCC=12V,β=100,UBE=0.6V,Rs=600Ω,Rb1=5.1kΩ,Rb2=10kΩ,Re=470Ω,RL=1k

共集电极放大电路如图2-20(a)所示。已知:UCC=12V,β=100,UBE=0.6V,Rs=600Ω,Rb1=5.1kΩ,Rb2=10kΩ,Re=470Ω,RL=1kΩ,试用小信号模型分析法计算电路的输入电阻Ri、输出电阻Ro及电压增益Aus

共集电极放大电路如图2-20(a)所示。已知:UCC=12V,β=100,UBE=0.6V,Rs=6

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第4题

放大电路如图题5.9.1所示。设BJT的型号为2N2222,β=60。Ra=0。试求放大电路的静态工作点,电压
增益和输入电阻。

放大电路如图题5.9.1所示。设BJT的型号为2N2222,β=60。Ra=0。试求放大电路的静态工

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第5题

电压放大电路模型如图题1.4.1所示,设输出开路电压增益Avo=10。试分别计算下列条件下的源电压增益Avs=vo/vs:

电压放大电路模型如图题1.4.1所示,设输出开路电压增益Avo=10。试分别计算下列条件下的源电压增益Avs=vo/vs

(1)Ri=10Rs,RL=10Ro

(2)Ri=Rs,RL=Ro

(3)Ri=Rs/10,RL=Ro/10;

(4)Ri=10Rs,RL=Ro/10。

电压放大电路模型如图题1.4.1所示,设输出开路电压增益Avo=10。试分别计算下列条件下的源电压增

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第6题

在共基放大电路的基极接入电阻RB,其交流通路如图LP4-19(a)所示,试画出交流等效电路,若r
在共基放大电路的基极接入电阻RB,其交流通路如图LP4-19(a)所示,试画出交流等效电路,若r

ce忽略不计,试求输入电阻R1、输出电阻R0、电流增益Af和源电压增益Aυ.表达式.

在共基放大电路的基极接入电阻RB,其交流通路如图LP4-19(a)所示,试画出交流等效电路,若r在共在共基放大电路的基极接入电阻RB,其交流通路如图LP4-19(a)所示,试画出交流等效电路,若r在共

在共基放大电路的基极接入电阻RB,其交流通路如图LP4-19(a)所示,试画出交流等效电路,若r在共

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第7题

波形产生电路如图8.3.2所示,图中ROM的数据表如表8.3.1所示。对应CP波形,画出输出vO的波形,并标出
波形上各点的电压值。

波形产生电路如图8.3.2所示,图中ROM的数据表如表8.3.1所示。对应CP波形,画出输出vO的波

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第8题

共源一共栅放大电路如图LP4-57所示,设各管衬底均与VSS相接,rds2忽略不计.(1)试推导
共源一共栅放大电路如图LP4-57所示,设各管衬底均与VSS相接,rds2忽略不计.(1)试推导

表示式,并说明T4管的作用;(2)若没有T2管,增益Ai如何变化?

共源一共栅放大电路如图LP4-57所示,设各管衬底均与VSS相接,rds2忽略不计.(1)试推导共源

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第9题

电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐

电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V-1。场效

应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae

电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ1=λ2=0

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第10题

射极偏置电路如图题5.4.3所示,已知β=60。(1)用估算法求Q点;(2)求输入电阻rbe;(3)用小信号模
射极偏置电路如图题5.4.3所示,已知β=60。(1)用估算法求Q点;(2)求输入电阻rbe;(3)用小信号模

型分析法求电压增益Av;(4)电路其他参数不变,如果要使VCEQ=4V,问基极上偏流电阻Rb1为多大?

射极偏置电路如图题5.4.3所示,已知β=60。(1)用估算法求Q点;(2)求输入电阻rbe;(3)

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