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[主观题]

场效应管的漏极电流则受栅£­源电压直接控制,是一种()控制器件。

场效应管的漏极电流则受栅£­源电压直接控制,是一种()控制器件。

答案
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更多“场效应管的漏极电流则受栅£­源电压直接控制,是一种()控制器件。”相关的问题

第1题

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第2题

以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。

A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D.MOS管的跨导越大,电压增益也越大

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第3题

栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是()。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第4题

结型场效应管工作时,栅一源电压必须使PN结正偏。()
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第5题

电路如图所示。设电流源电流I=0.5mA、VDD=VSS=5V,Rd=9kΩ,CS很大,对信号可视为短路。场效应管的VT=0.8V,Kn=1,l = 0。则场效应管的gm » _______,电路的小信号电压增益约为 _______ 。

电路如图所示。设电流源电流I=0.5mA、VDD=VSS=5V,Rd=9kΩ,CS很大,对信号可视为短路。场效应管的VT=0.8V,Kn=1,l = 0。则场效应管的gm ? _______,电路的小信号电压增益约为 _______ 。

A、1.42 mA/V,12.78

B、3.02 mA/V,-27.2

C、1.42 mA/V,-12.78

D、3.02 mA/V,-12.78

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第6题

判断一个MOS管是否导通的关键是()与阈值电压作比较。

A.衬底与源间电压

B.漏源电压

C.栅漏电压

D.栅源电压

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第7题

MOS场效应管是___控制的器件,双极型晶体管是___控制的器件。

A.电压,电压

B.电压,电流

C.电流,电压

D.电流,电流

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第8题

电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示,设Rg1=90千欧,Rg2=60千欧,Rd=30千欧,VDD⌘
电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示,设Rg1=90千欧,Rg2=60千欧,Rd=30千欧,VDD⌘

电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示,设Rg1=90千欧,Rg2=60千欧,Rd=30千欧,VDD=5 V,VTS=1V,Kn=0.1mA/V2。试计算电路的漏极电流ID和漏源电压VDS

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第9题

测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下,其VT或VP值也已知,试判断该管工作在什么区域(
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下,其VT或VP值也已知,试判断该管工作在什么区域(

饱和区,可变电阻区,预夹断临界点或截止)。

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第10题

电路如图题5.2.1所示,设Rg1=90kΩ,Rg2=60kΩ,Rd=30kΩ,VDD=5V,VT=1V,Kn=
0.1mA/V2。试计算电路的栅源电压VCS和漏源电压VDS

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第11题

()具有一定电压电流关系的独立器件,包括基本的电抗元件、机电元件、半导体分立器件二极管、双极三极管、场效应管、晶闸管等。

A.分立器件

B.集成器件

C.无源元件

D.有源元件

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