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题目内容
（请给出正确答案）
解释下列概念： (1)组合逻辑控制单元和微程序控制单元 (2)机器语言程序和微程序 (3)机器指令和微指令 (4)微指令和毫微指令 (5)微操作命令和微操作 (6)主存储器和控制存储器 (7)MAR和CMAR (8)串行微程序控制和并行微程序控制 (9)水平型微指令和垂直型微指令 (10)静态微程序设计和动态微程序设计
答案
更多“解释下列概念： （1)组合逻辑控制单元和微程序控制单元 （2)机器语言程序和微程序 （”相关的问题
第1题
设CPU内部结构如图10．11所示，且PC有自动加1功能。此外还有B、C、D、E、H、L六个寄存器(图中未画)，它们各自的输入端和输出端都与内部总线Bus相连，并分别受控制信号控制。要求写出完成下列指令组合逻辑控制单元所发出的微操作命令及节拍安排。 (1)ADD B，C ；(B)+(C)→B (2)SUB E，@H ；(E)-((H))→E 寄存器间接寻址 (3)STA @mem ；ACC→((mem)) 存储器间接寻址
第2题
74LS181这种算术/逻辑单元是一种组合逻辑器件，它可对16位的数据进行算术运算和逻辑运算。( )
第4题
第8题
在有原变量输入、又有反变量输入的条件下，用“与非”门设计实现下列逻辑函数的组合逻辑电路：
(1)F(A，B，C，D)=Σm(0，2.6，7，10，12，13，14，15)
(2)F(A，B，C，D)=Σm(0，1，3，4，6，7.10，12.13，14，15)
(3)F(A，B，C，D)=Σm(0，2.3，4，5，6，7，12，14，15)
第10题
已知下列两个配位单元的分裂能和成对能：
![已知下列两个配位单元的分裂能和成对能：（1)用价键理论及晶体场理论解释[Fe（H2O)6]卐已知下列](https://img2.soutiyun.com/ask/2020-11-12/974068479863111.png)
(1)用价键理论及晶体场理论解释[Fe(H2O)6]2+是外轨型的、高自旋的，[Co(NH3)6]3+是内轨型的、低自旋的;
(2)计算出两种配离子的晶体场稳定化能。
