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[判断题]
三极管工作于饱和状态时,其外加偏置电压为发射结正偏,集成结正偏。()
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第4题
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高,MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大,MOS管最高振荡频率越高
第7题
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。
第8题
A.PN结
B.基极
C.发射结
D.发射极
第11题
某三极管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=20V。当工作电压UCE=10V时,工作电流IC不得超过______mA;若工作电压UCE=1V时,IC不得超过______mA;当工作电流IC=2mA时,UCE不得超过20V。