题目内容
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[单选题]
在双极型晶体管中,提高集电区掺杂浓度可以抑制:()。
A.集电区穿通效应
B.Early效应
C.基区穿通效应
D.Webster效应
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A.集电区穿通效应
B.Early效应
C.基区穿通效应
D.Webster效应
第3题
设有一均匀掺杂n-GaAs晶体,其平衡电子浓度为n0,由于介质中某些不均匀件或热扰动使电子浓度产生一增量δn。