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（请给出正确答案）
现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n-Ge的样品，其厚度d＞＞Lp，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10-3W/cm2的红光垂直照射，除反射之外，其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收，产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1，表面对这种光的反射系数R=40%，光生载流子的寿命τ=1.82×10-3s，电子迁移率μn=2800cm2/(V·s)，空穴迁移率μp=700cm2/(V·s)，普朗克常数h=6.6×10-34J·s，光速C=3×1010cm/s(如图所示)。
试求：室温(300K)下样品光照面和底面之间的开路电压Vx。
答案
更多“现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n－Ge的样品，其厚度d＞＞Lp，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10－3W／cm2”相关的问题
第1题
考虑一个硅PN结太阳电池，其面积为2cm2．若太阳电池掺杂浓度为Na=1.7×1016cm-3，Nd=5×1019cm-3)且已知τn=10μs，τp=0.5μs，Dn=9.3cm2/s，Dp=2.5cm2/s，IL=95mA．在室温下：
第2题
某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm-3，少子寿命τp=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设ni=1.5×1010cm-3)？
第3题
有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为NA=9×1015cm-3和ND=2×1016cm-3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm2/(V·s)和500cm2/(V·s)，n区中空穴和电子迁移率分别为300cm2/(V·s)和900cm2/(V·s)；设两区内非平衡载流子的寿命为lμs，pn结截面积为10-2cm2。当外加正向电压VF=0.65V时，
第4题
A.对n型半导体，随着施主浓度ND的增加，费米能级EF从禁带中线逐渐向导带底方向靠近。
B.对p型半导体，随着受主浓度NA的增加，费米能级EF从禁带中线逐渐向价带顶方向靠近。
C.杂质半导体中载流子浓度和费米能级EF的位置由杂质浓度所决定，与温度无关。
D.在杂质半导体中，费米能级EF的位置不但反映了半导体的导电类型，而且还反映了半导体的掺杂水平。
第5题
A.多数载流子基本上由掺杂形成，所以多子浓度接近掺杂浓度
B.少数载流子由本征激发形成
C.多子浓度远大于少子浓度
D.若在一块半导体材料中同时掺入施主杂质和受主杂质，则产生杂质补偿作用，杂质半导体的特性由掺杂浓度高的杂质所决定
第6题
(1)一块硅样品，Nd=1015cm-3，τp=1μs，光照产生率GL=5×1019cm-3·s-1，计算它的电导率和准费米能级．
(2)求产生的空穴浓度为1015cm-3的GL值，它的电导率和费米能级是多少？
第8题
第9题
在下述晶体中你预料何类缺陷占优势？ (1)MgCl2掺杂的NaCl。 (2)Y2O3掺杂的ZrO2。 (3)YF3掺杂的CaF2。 (4)一块已锤击成薄片的铝；在一种还原气氛中加热过的WO3。
