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[单选题]
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()
A.晶体缺陷
B.杂质浓度
C.温度
D.掺杂工艺
答案
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A.晶体缺陷
B.杂质浓度
C.温度
D.掺杂工艺
第1题
电工学第七版下册课后练习与思考题答案 14.1.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?为什么杂质半分体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小?
第10题
第11题
A.LED能发光是利用注入式电能转化成光能的技术
B.发光二极管是由P型半导体、n型半导体和PN结组成
C.PN结位于P型半导体和n型半导体的过渡层上
D.LED的状态是通过PN结外加电压来控制的