当半导体形成pn结时，p型中的空穴（或n型中的电子)为什么不能不受限制地迁移到n型（或p型)中去呢？

由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结，计算在室温(300K)时，内建电位差V_D和阻挡层宽度。已知在上述电阻率下，p区的空穴迁移率μ_p=1650cm²/(V·s)，n区电子的迁移率μ_n=3000cm²/(V·s)，锗的本征载流子浓度n_i=2.5×10¹³cm^-3。

A.PN结是P型，N型半导体混合制成的

B.PN结是P型，N型半导体相接触形成的

C.PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成

D.PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的

某n型半导体硅，其掺杂浓度N_D=10¹⁵cm^-3，少子寿命τ_p=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设n_i=1.5×10¹⁰cm^-3)？

A.LED能发光是利用注入式电能转化成光能的技术

B.发光二极管是由P型半导体、n型半导体和PN结组成

C.PN结位于P型半导体和n型半导体的过渡层上

D.LED的状态是通过PN结外加电压来控制的

A.N型半导体

B.P型半导体

C.PN结

D.导体

A.AN

B.BN

C.PN

D.ON

有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为N_A=9×10¹⁵cm^-3和N_D=2×10¹⁶cm^-3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm²/(V·s)和500cm²/(V·s)，n区中空穴和电子迁移率分别为300cm²/(V·s)和900cm²/(V·s)；设两区内非平衡载流子的寿命为lμs，pn结截面积为10^-2cm²。当外加正向电压V_F=0.65V时，

A.N型半导体

B.P型半导体

C.本征半导体

D.掺杂半导体

A.PN结

B.P型半导体

C.绝缘体

D.N型半导体