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[单选题]

场效应晶体管根据它的导电沟道可分为N沟道场效应管和()场效应管二种。

A.G沟道

B.P沟道

C.绝缘栅型

D.结型

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更多“场效应晶体管根据它的导电沟道可分为N沟道场效应管和()场效应管二种。”相关的问题

第1题

场效应晶体管根据它的导电沟道可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管二种。()
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第2题

N沟道场效应管导电载流子是();P沟道场效应管导电载流子是()。
N沟道场效应管导电载流子是();P沟道场效应管导电载流子是()。

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第3题

‎MOS管中,导电沟道的有效长度会随着所加的VDS调制:增加VDS将使漏结的耗尽区加大,从而增加了有效沟道的长度。()‏
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第4题

关于场效应管,下列说法错误的是()。

A.场效应管只有一种载流子导电,所以是单极型器件

B.场效应管是电压控制电流型器件,分为MOSFET和JFET两大类

C.MOSFET分N沟道和P沟道,按照导电沟道形成机理不同,NMOS管和PMOS管又各有增强型和耗尽型两种

D.JFET也分N沟道和P沟道,所以也各有增强型和耗尽型两种

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第5题

当UGS=0时,漏源之间存在导电沟道的称为______型场效应管,漏源之间不存在导电沟道的称为______型场效应管。

当UGS=0时,漏源之间存在导电沟道的称为______型场效应管,漏源之间不存在导电沟道的称为______型场效应管。

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第6题

当栅源电压等于零时,增强型FET___导电沟道,结型FET的沟道电阻___。

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第7题

MOS管中的导电沟道一旦被夹断,则漏极电流变为零。()

MOS管中的导电沟道一旦被夹断,则漏极电流变为零。( )

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第8题

栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是()。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第9题

p沟道MOSFET,其衬底为()型,当栅极施加适当负压后,可形成()导电沟道。
p沟道MOSFET,其衬底为()型,当栅极施加适当负压后,可形成()导电沟道。

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第10题

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第11题

p沟增强型MOS管的开启电压为___,沟道中导电载流子为___。

A.正值,电子

B.正值,空穴

C.负值,电子

D.负值,空穴

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