电路如图2.4.16(a)所示。已知当三极管导通时Vbe=0.7V,饱和时Vces=0.3V,β=100;OC门G1输出管截止时的漏电流约
电路如图2.4.16(a)所示。已知当三极管导通时Vbe=0.7V,饱和时Vces=0.3V,β=100;OC门G1输出管截止时的漏电流约为50μA,饱和导通时最大允许灌电流ILM=10mA,输出低电平VOL=0.3V;TTL与非门输入特性如图(b)所示。要求三极管集电极输出端P为高电平时VPH=3.5V,低电平时VPL=0.3V。试问:
由TTL与非门输入特性可以得出,IIH=20μA,IIL=1.5mA。Rb的取值应保证在G1输出高电平时T饱和导通,iR>ISS,在G1输出低电平时T截止,VB<Vbcs=0.7V。因此,可得:
在G1输出低电平时VB=VCC-Rb×ILM<Vbe,因此
在G1输出高电平时,T导通,,因此
因为在T导通时,,n为带与非门个数
故
所以
故若P端接5个与非门,则Rb的取值范围为0.43~31.85kΩ$若Rb=20kΩ,则在G1输出高电平时,,要满足条件iB>IBS,则,因此可得,n<10.33,因此最多可带10个与非门。$若将OC门换成普通TTL与非门,在G1输出高电平时,T导通,就会有很大的电流流过G1内部的输出管和T1,导致烧毁管子。