电流源电路如下图所示,VDD=+5V,-VSS=-5V,T1~T5为特性相同的NMOS管,VT=2V,KN2=KN3=KN4=KN5=0.25mA/V2,KN1=0.
电流源电路如下图所示,VDD=+5V,-VSS=-5V,T1~T5为特性相同的NMOS管,VT=2V,KN2=KN3=KN4=KN5=0.25mA/V2,KN1=0.10mA/V2,λ=0,求IREF和I。
电流源电路如下图所示,VDD=+5V,-VSS=-5V,T1~T5为特性相同的NMOS管,VT=2V,KN2=KN3=KN4=KN5=0.25mA/V2,KN1=0.10mA/V2,λ=0,求IREF和I。
第3题
电路如图所示。设电流源电流I=0.5mA、VDD=VSS=5V,Rd=9kΩ,CS很大,对信号可视为短路。场效应管的VT=0.8V,Kn=1,l = 0。则场效应管的gm ? _______,电路的小信号电压增益约为 _______ 。
A、1.42 mA/V,12.78
B、3.02 mA/V,-27.2
C、1.42 mA/V,-12.78
D、3.02 mA/V,-12.78
第4题
电路如下图所示,用镜像电流源(T1、T2)对射极跟随器进行偏置。设,求电流IO的值。若ro(rce)=100kΩ。试比较该电路与分立元件电路的优点。设VCC=-VEE=10V,VBE=0.6V。
第5题
电路如图题4.3.1(主教材图4.3.7b)所示,设Rg1=90千欧,Rg2=60千欧,Rd=30千欧,VDD=5 V,VTS=1V,Kn=0.1mA/V2。试计算电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
第7题
电路如下图所示,Re1=Re2=100kΩ,BJT的β=100,VBE=0.6V,电流源动态输出电阻ro=100kΩ。(1)当vi1=0.01V,vi2=-0.01V时,求vo的值;(2)当c1、C2间接入负载电阻RL=5.6kΩ时,求v'o的值;(3)单端输出且RL=∞时,vo2=?求Avd2、Avc2和KCMR2的值;(4)求电路的差模输入电阻Rid共模输入电阻Ric和不接RL时,单端输出的输出电阻Ro2。
第9题
在图10.2所示的用CMOS反相器组成的施密特触发电路中,若R1=50kΩ,R2=100 kQ,VDD=5V,,试求电路的输入转换电平VT+、VT-以及回差电压△VT。
第11题
由理想运放构成的电路如下图所示,指出电路名称,已知t=0时,C两端电压为零,集成运放最大输出电压UOM=±10V,当输入电压uI=5V时,画出输出电压uo随时间t的变化波形。