在半导体被光照射、产生光传导现象时,如果由光产生的载流子在不同位置具有不均一性,或者由于pn结产生了内部载流子的话,就会因扩散或者漂移效应而引起电子和空穴密度分布不平衡,从而产生电力,这一现象叫()。
A.丹倍效应
B.光电效应
C.PEM效应
D.光电传导效应
A.丹倍效应
B.光电效应
C.PEM效应
D.光电传导效应
第2题
金属钡(Wm=2.48eV)表面受到紫色光(λ=430nm)照射时,能否放出光电子,放出能量为多少?在图所示的光电测量装置中,如果光由正面照射,且hν>qΦns将产生怎样的结果;此时若金属层很薄,且hν>Eg(半导体禁带宽度),其结果又如何?请解释如何用这一方法来测量金属半导体接触时金属一边的势垒高度。
第4题
A.光与物质相互作用时,将发生自发辐射、受激辐射和受激吸收三种物理过程
B.自发辐射发出的光是相干光,自发辐射可以产生光放大
C.受激辐射发出的光是相干光,受激辐射可以产生光放大
D.受激辐射产生的光子是全同光子
第7题
如果玉米在14CO2气体存在下,受光照射约1s后,在叶子上检测到的90%放射性都出现在苹果酸、天冬氨酸和草酰乙酸的C-4原子上。然而光照60s后,14C才会出现在3-磷酸甘油酸的C-1原子,请解释这一现象。
第8题
设一块n型半导体材料,其室温暗电导率为100S/cm,当以强度I=10-6W/cm2的光照射时,其吸收系数α=102/cm,测得其稳态光电导率与暗电导率之比γ=10,寿命τ为10-4s,b=μn/μp=10,μn=10000cm2/(V·s),求对应的量子产额。
第9题
如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。
第10题
B、光生伏特效应最重要的应用之一是太阳能电池
C、是光能转换成电能
D、能够产生有效的光生伏特效应,需要:光照能够产生大量的光生载流子;并能够把产生的光生电子和光生空穴有效分离
E、是电能转换成光能