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[单选题]

互补对称功放电路是由一个NPN型晶体管、一个PNP型晶体管分别构成的()电路组合而成的。

A.共射放大

B.射极输出

C.共基放大

D.共射、共集放大

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更多“互补对称功放电路是由一个NPN型晶体管、一个PNP型晶体管分别构成的()电路组合而成的。”相关的问题

第1题

由集成运放作为前置级的互补对称功放电路如下图所示,试:

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第2题

设计一个输出功率为20W的扩音机电路,若用乙类OCL互补对称功放电路,则应选两个PCM至少为______W的功率管。

设计一个输出功率为20W的扩音机电路,若用乙类OCL互补对称功放电路,则应选两个PCM至少为______W的功率管。

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第3题

若图4.11中已知VCC=20V,RB=500kΩ,RC=5kΩ,晶体管为NPN型硅管,β=50,试求电路的静态工作点。

若图4.11中已知VCC=20V,RB=500kΩ,RC=5kΩ,晶体管为NPN型硅管,β=50,试求电路的静态工作点。

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第4题

将乙类双电源互补对称功率放大电路去掉一个电源,就构成乙类单电源互补对称功率放大电路。()
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第5题

OCL电路是()电源互补功放,OTL是()电源互补功放。
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第6题

对NPN型和PNP型晶体管的描述错误的是()。

A.由两种不同的材料硅和锗制成的

B.掺入的杂质元素不同

C.P区和N区的位置不同

D.管脚排列方式不同

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第7题

‍当分析互补CMOS门的传播延时时,可以将电路中的晶体管看作一个电阻与一个()相串联。‏
‍当分析互补CMOS门的传播延时时,可以将电路中的晶体管看作一个电阻与一个()相串联。‏

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第8题

关于P型半导体的下列说法,错误的是()。

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成

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第9题

在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有()。A、ICMB、ICBOC、PCM

在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有()。

A、ICM

B、ICBO

C、PCM

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第10题

晶体管的基本类型有PNP型和NPN型两种。()
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第11题

目前国产的晶体管,锗管大多为NPN型,硅管大多为PNP型。()
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