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[主观题]

已知OC反相器驱动发光二极管的电路如图2．3．12所示。OC门的参数VOL=0．3 V，IOL（max)=8 mA，发光二极

已知OC反相器驱动发光二极管的电路如图2．3．12所示。OC门的参数VOL=0．3 V，IOL(max)=8 mA，发光二极管正向导通压降VF=1．6 V，正向电流ID=5 mA。试确定上拉电阻R的值。

已知OC反相器驱动发光二极管的电路如图2．3．12所示。OC门的参数VOL=0．3 V，IOL（ma

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发布时间：2020-08-13

更多“已知OC反相器驱动发光二极管的电路如图2．3．12所示。OC门的参数VOL=0．3 V，IOL（max)=8 mA，发光二极”相关的问题

第1题

由OD与非门驱动发光二极管电路如图2．4．10所示，已知与非门的IOL=24 mA，IOH=24 mA，VOL=0．4 V,VOH=5

V；发光二极管正向导通压降VF=2 V，正向导通电流ID=10 mA，试确定限流电阻R的取值。

由OD与非门驱动发光二极管电路如图2．4．10所示，已知与非门的IOL=24 mA，IOH=24 m

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第2题

已知LSTTL反相器的静态特性，如图3．4．1所示，且IOH=－400uA，IOL=4 mA；又知图3．4．1（b)电路中，VCC=5 V

已知LSTTL反相器的静态特性，如图3．4．1所示，且IOH=-400uA，IOL=4 mA；又知图3．4．1(b)电路中，VCC=5 V，RC=1 kΩ，三极管β=50，饱和时VCES=0．3 V，VBES=0．7 V。 (1)求Rb=10 kΩ，开关K分别置于0和1处时的VA，VB，VO。 (2)Rb短路，电路能否正常工作？若不能试求出Rb的最小允许值。 (3)为保证电路正常工作，Rb的最大值应为多少？

已知LSTTL反相器的静态特性，如图3．4．1所示，且IOH=－400uA，IOL=4 mA；又知图

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第3题

有施密特特性的CMOS反相器构成的电路及输入信号如图7．4．2所示，已知反相器电源电压VDD=5 V，正、负

向阈值电压分别为VT+=3．3 V，VT-=1．5 V，试画出vC及vO的波形，计算输出脉冲的宽度。

有施密特特性的CMOS反相器构成的电路及输入信号如图7．4．2所示，已知反相器电源电压VDD=5 V

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第4题

两个OC门线与以后，驱动六个普通TTL与非门，如图3．4．2所示。已知与非门输入短路电流IIS=1．5 mA，输入

漏电流IIH=20μA，OC门允许灌入电流IOL≤25 mA，最大漏电流IOH=100μA，要求VOH≥2．7 V，VOL≤0．35 V，求负载电阻RL的取值范围。

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第5题

电路如图2.4.16（a)所示。已知当三极管导通时Vbe=0.7V，饱和时Vces=0.3V，β=100；OC门G1输出管截止时的漏电流约

电路如图2.4.16(a)所示。已知当三极管导通时V_be=0.7V，饱和时V_ces=0.3V，β=100；OC门G₁输出管截止时的漏电流约为50μA，饱和导通时最大允许灌电流I_LM=10mA，输出低电平V_OL=0.3V；TTL与非门输入特性如图(b)所示。要求三极管集电极输出端P为高电平时V_PH=3.5V，低电平时V_PL=0.3V。试问：

电路如图2.4.16（a)所示。已知当三极管导通时Vbe=0.7V，饱和时Vces=0.3V，β=1

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第6题

由CMOS反相器组成的对称型多谐振荡器如图7．3．4所示。其中R1=R2=10 kΩ，C1=C2=0．01μF，RP1=RP2=100 k

Ω。 (1)分析电路的工作原理，画出vI1、vO1、vI2及vO2的波形； (2)计算电路的振荡频率。

由CMOS反相器组成的对称型多谐振荡器如图7．3．4所示。其中R1=R2=10 kΩ，C1=C2=0

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第7题

试判断能否用74HC04中的一个反相器驱动6个74LS系列门电路？已知HC系列门电路的参数：IOL（max)=4 mA

试判断能否用74HC04中的一个反相器驱动6个74LS系列门电路？已知HC系列门电路的参数：IOL(max)=4 mA，IOH(max)=4 mA，VOL(max)=0．33 V，VOH(min)=3．84 V，74LS系列门电路参数：IIL(max)=0．4 mA，IIH(max)=0．02 mA，VIL(max)=0．8 V，VIH(min)=2 V。

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第8题

图3．3．4中，用TTL驱动发光二极管（LED)，已知LED正向驱动压降为2 V，驱动电流为10 mA，TTL与非门输出

图3．3．4中，用TTL驱动发光二极管(LED)，已知LED正向驱动压降为2 V，驱动电流为10 mA，TTL与非门输出低电平时允许的最大输出灌电流IOmax=16mA，输出高电平时允许的最大输出拉电流IOH=400μA。 (1)要LED亮，A，B应如何选择； (2)试求电阻R的取值范围。

图3．3．4中，用TTL驱动发光二极管（LED)，已知LED正向驱动压降为2 V，驱动电流为10 m

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第9题

在图（a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器，VDD=15V。（1)试计算电路的正

在图(a)所示的施密特触发器电路中，已知R₁=10kΩ，R₂=30kΩ。G₁和G₂为CMOS反相器，V_DD=15V。

在图（a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器，

(1)试计算电路的正向阈值电压V_T+、负向阈值电压V_T+和回差电压△V_T。

(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端，试画出输出电压的波形。

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第10题

在图9．3．1（a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10 kΩ，R2=30 kΩ。G1和G2为CM（)S反相器，VDD=15 V。

在图9．3．1(a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10 kΩ，R2=30 kΩ。G1和G2为CM()S反相器，VDD=15 V。 (1)试计算电路的上限触发电平VT+，下限触发电平VT-和回差电压△VT． (2)若将图9．3．1(b)给出的电压信号加到图9．3．1(a)电路的输出端，试画出输出电压的波形。

在图9．3．1（a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10 kΩ，R2=30 kΩ。G1和G2为C