简述单晶硅与多晶硅的材料对比。

A.非晶硅

B. GaAs

C. InP

D. CdTe

A.铸造多晶硅

B.直拉单晶硅

C.带状多晶硅

D.高纯多晶硅

A.二氧化硅

B.单晶硅

C.多晶硅

D.氮化硅

A.单晶硅

B.多晶硅

C.薄膜

D.有机半导体

A.单晶硅太阳能电池

B.染料敏化太阳能电池

C.多晶硅薄膜太阳能电池

D.非晶硅薄膜太阳能电池

A.高纯多晶硅原料生产

B.单晶硅拉制或多晶硅定向浇铸

C.硅片切割

D.电池芯片生产

A.非晶硅

B.单晶硅

C.多晶硅

A.在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。

B.非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。

C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。

D.与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应)，但其光电转化效率随温度升高下降较慢。

现代计算机大多采用集成电路，在集成电路生产中所采用的基本材料多数为____。

A．单晶硅

B．非晶硅

C．锑化钼

D．硫化镉