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[判断题]

当MOSFET栅极电压未达到阈值电压值时，流过漏极的电流为零。（)

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发布时间：2022-07-20

更多“当MOSFET栅极电压未达到阈值电压值时，流过漏极的电流为零。()”相关的问题

第1题

由555定时器构成的多谐振荡器及参数如图7．4．8所示，电压控制端通过电容接一个频率比电路振荡频率

低得多、幅值为1 V的正弦信号v5，电路的闽值电压VTH将发生变化。 (1)推导用正、负向阈值电压VT+和VT-表示vO高电平和低电平持续时间tpH和tpL的表达式； (2)计算电压控制端没接移v5时，电路的振荡频率和占空比；

(3)当电压控制端接v5时，分别计算阈值电压VTH达到最大值和最小值时的振荡频率和占空比。

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第2题

由CMOS门电路组成的施密特触发器如图7．1．3（a)所示，已知R1=5 kΩ，R2=10 kΩ，VDD=5 V，VOH≈5 V，VOL1≈0

由CMOS门电路组成的施密特触发器如图7．1．3(a)所示，已知R1=5 kΩ，R2=10 kΩ，VDD=5 V，VOH≈5 V，VOL1≈0 V，VTH1=2．5 V。 (1)计算正向、负向阈值电压及回差电压。 (2)当阈值电压变为

时，若使回差电压不变，对电阻有何要求？此时正向、负向阈值电压为何值？

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第3题

关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响，下列说法中正确的是（）。

A.靠近栅极界面的电荷比靠近半导体界面的电荷影响更大

B.靠近半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大

C.靠近栅极界面的电荷与靠近半导体界面的电荷的影响相同

D.靠近氧化层中间位置的电荷影响更大

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第4题

测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下，其V_T或V_P值也已知，试判断该管工作在什么区域(

测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下，其V_T或V_P值也已知，试判断该管工作在什么区域（

饱和区，可变电阻区，预夹断临界点或截止)。

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第5题

增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（)。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第6题

555定时器构成的基本施密特触发器没有外接控制电压时，正、负向阈值电压分别为________________和_

_______________，回差电压为________________。

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第7题

进行钢筋冷拉施工时，若采用冷拉应力控制，当冷拉应力为δ，冷拉率γ，下列( )情况是合格的。

A.δ达到控制值，γ未达到控制值

B.δ达到控制值，γ超过规定值

C.δ未达到控制值，γ未达到控制值

D.δ未达到控制值，γ超过规定值

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第8题

电压测量系统如图3．67所示。输入电压et（t)V，输出位移y（t)cm，放大器增益K=10，丝杠每转螺距1m

电压测量系统如图3．67所示。

输入电压et(t)V，输出位移y(t)cm，放大器增益K=10，丝杠每转螺距1mm，电位计滑臂每移动1cm电压增量为0．4V。当对电机加10V阶跃电压时(带负载)，稳态转速为1000 r／min，达到该值63．2％需要0．5s。画出系统方框图，求出传递函数Y(s)／E(s)，并求系统单位阶跃响应的峰值时间tp、超调量σ％、调节时间ts和稳态值h(∞)。