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[主观题]

由CMOS门电路组成的施密特触发器如图7.1.3(a)所示,已知R1=5 kΩ,R2=10 kΩ,VDD=5 V,VOH≈5 V,VOL1≈0

由CMOS门电路组成的施密特触发器如图7.1.3(a)所示,已知R1=5 kΩ,R2=10 kΩ,VDD=5 V,VOH≈5 V,VOL1≈0 V,VTH1=2.5 V。 (1)计算正向、负向阈值电压及回差电压。 (2)当阈值电压变为

由CMOS门电路组成的施密特触发器如图7.1.3(a)所示,已知R1=5 kΩ,R2=10 kΩ,V时,若使回差电压不变,对电阻有何要求?此时正向、负向阈值电压为何值?

由CMOS门电路组成的施密特触发器如图7.1.3(a)所示,已知R1=5 kΩ,R2=10 kΩ,V

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第1题

由CMOS门构成的电路及输入信号如图7.4.1所示,如果VOH≈VDD=5 V,VOL≈0 V,门电路的阈值电压VTH=2.5
V,忽略CMOS门导通电阻。

由CMOS门构成的电路及输入信号如图7.4.1所示,如果VOH≈VDD=5 V,VOL≈0 V,门电(1)试分析电路的工作原理,该电路是什么电路? (2)画出vR及vO的波形,计算输出脉冲宽度及最高工作频率。

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第2题

在图9.1.1用两级CMOS反相器组成的施密特触发器电路中,若R1=50 kΩ,R2=100 kΩ,VDD=5 V,试求电路的

在图9.1.1用两级CMOS反相器组成的施密特触发器电路中,若R1=50 kΩ,R2=100 kΩ,VDD=5 V,

在图9.1.1用两级CMOS反相器组成的施密特触发器电路中,若R1=50 kΩ,R2=100 kΩ,试求电路的输入转换电平VT+,VT-和回差电压△VT。

在图9.1.1用两级CMOS反相器组成的施密特触发器电路中,若R1=50 kΩ,R2=100 kΩ,

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第3题

有关施密特触发器说法正确的是()。

A.内部含有反馈回路

B.只能由TTL电路构成

C.只能由CMOS电路构成

D.只能由与非门构成

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第4题

由CMOS反相器组成的对称型多谐振荡器如图7.3.4所示。其中R1=R2=10 kΩ,C1=C2=0.01μF,RP1=RP2=100 k
Ω。 (1)分析电路的工作原理,画出vI1、vO1、vI2及vO2的波形; (2)计算电路的振荡频率。

由CMOS反相器组成的对称型多谐振荡器如图7.3.4所示。其中R1=R2=10 kΩ,C1=C2=0

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第5题

由CMOS门组成的单稳态触发器如图7.1.1所示。其中VDD=5 V,VTH=0.4VDD,C=1 nF,VOL≈5 V,VOL≈0 V。

由CMOS门组成的单稳态触发器如图7.1.1所示。其中VDD=5 V,VTH=0.4VDD,C=1 (1)设输入v1的波形如图7.3.1(a)所示,试画出v12及v0的波形。

由CMOS门组成的单稳态触发器如图7.1.1所示。其中VDD=5 V,VTH=0.4VDD,C=1 (2)试确定电阻R的值,使输出脉冲宽度为10μs。

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第6题

集成施密特触发器和4位同步二进制加法器74LVC161组成的电路如图题9.2.4所示。(1)分别说明图中两
集成施密特触发器和4位同步二进制加法器74LVC161组成的电路如图题9.2.4所示。(1)分别说明图中两

集成施密特触发器和4位同步二进制加法器74LVC161组成的电路如图题9.2.4所示。

集成施密特触发器和4位同步二进制加法器74LVC161组成的电路如图题9.2.4所示。(1)分别说明

(1)分别说明图中两部分电路的功能;

(2)画出图中74LVC161组成的电路的状态图;

(3)画出图中va、vb和v0的对应波形。

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第7题

TTL集成施密特触发器CTll32的逻辑符号和vI一vO曲线如图9.6.1(a)所示,图(b)为CTll32组成的电路。

TTL集成施密特触发器CTll32的逻辑符号和vI一vO曲线如图9.6.1(a)所示,图(b)为CTll32组成的电路。 (1)说明电路具有什么功能。 (2)定性画出VA,VO的波形。 (3)若R=10 kΩ,C=0.01μF,计算工作周期。

TTL集成施密特触发器CTll32的逻辑符号和vI一vO曲线如图9.6.1(a)所示,图(b)为CT

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第8题

CMOS或非门组成的微分型单稳态电路如图9.6.2所示。 (1)说明在稳态时vI,vO的电压值。 (2)

CMOS或非门组成的微分型单稳态电路如图9.6.2所示。 (1)说明在稳态时vI,vO的电压值。 (2)输出脉宽Tw和哪些参数有关。

CMOS或非门组成的微分型单稳态电路如图9.6.2所示。 (1)说明在稳态时vI,vO的电压值。 (

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第9题

CMOS施密特与非门组成的电路如图7.3.3(a)所示,窄脉冲触发输入信号vI如图7.3.3(b)所示。已知R=5 kΩ

CMOS施密特与非门组成的电路如图7.3.3(a)所示,窄脉冲触发输入信号vI如图7.3.3(b)所示。已知R=5 kΩ,C=0.1μ F,VDD=5 V, VOH≈5 V,VILL≈0 V,VT+=3.3 V,VT-=1.8 V。 (1)分析电路的工作原理,画出vV及vO的波形(两个触发脉冲间隔的时间足够长)。 (2)计算输出高电平持续的时间。

CMOS施密特与非门组成的电路如图7.3.3(a)所示,窄脉冲触发输入信号vI如图7.3.3(b)所

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第10题

由CMOS施密特与非门构成的门控多谐振荡器如图7.3.7所示。触发控制信号vI如图7.3.8(a)所示。

由CMOS施密特与非门构成的门控多谐振荡器如图7.3.7所示。触发控制信号vI如图7.3.8(a)所示。

由CMOS施密特与非门构成的门控多谐振荡器如图7.3.7所示。触发控制信号vI如图7.3.8(a)所(1)分析电路的工作原理,画出vC及vO的波形; (2)试写出该电路各个充、放电时间及振荡频率的表达式。

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