CMOS施密特与非门组成的电路如图7.3.3(a)所示,窄脉冲触发输入信号vI如图7.3.3(b)所示。已知R=5 kΩ
CMOS施密特与非门组成的电路如图7.3.3(a)所示,窄脉冲触发输入信号vI如图7.3.3(b)所示。已知R=5 kΩ,C=0.1μ F,VDD=5 V, VOH≈5 V,VILL≈0 V,VT+=3.3 V,VT-=1.8 V。 (1)分析电路的工作原理,画出vV及vO的波形(两个触发脉冲间隔的时间足够长)。 (2)计算输出高电平持续的时间。
CMOS施密特与非门组成的电路如图7.3.3(a)所示,窄脉冲触发输入信号vI如图7.3.3(b)所示。已知R=5 kΩ,C=0.1μ F,VDD=5 V, VOH≈5 V,VILL≈0 V,VT+=3.3 V,VT-=1.8 V。 (1)分析电路的工作原理,画出vV及vO的波形(两个触发脉冲间隔的时间足够长)。 (2)计算输出高电平持续的时间。
第1题
由CMOS施密特与非门构成的门控多谐振荡器如图7.3.7所示。触发控制信号vI如图7.3.8(a)所示。
(1)分析电路的工作原理,画出vC及vO的波形; (2)试写出该电路各个充、放电时间及振荡频率的表达式。
第2题
第3题
在图10.2所示的用CMOS反相器组成的施密特触发电路中,若R1=50kΩ,R2=100 kQ,VDD=5V,,试求电路的输入转换电平VT+、VT-以及回差电压△VT。
第4题
CMOS或非门组成的微分型单稳态电路如图9.6.2所示。 (1)说明在稳态时vI,vO的电压值。 (2)输出脉宽Tw和哪些参数有关。
第5题
第9题
3输入端或非门;(3)3输入端与非门;(4)或与非门[];(5)传输门(一个非门控制两个传输门分时传送)。
第10题
图是用TTL输出开路门(OC门)电路驱动CMOS电路的实例,试计算上拉电阻RL的取值范围。TTL输出开路与非门在VOL≤0.3V时的最大输出电流为8mA,输出端的VT5晶体管截止时有50μA的漏电流。CMOS或非门的输入电流可以忽略。要求加到CMOS或非门输入端的电压满足VIH≥4V,VIL≤0.3V。给定电源电压VDD=5V。