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[单选题]

结型场效应管可分为()。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

答案
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更多“结型场效应管可分为()。”相关的问题

第1题

某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第2题

结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别?
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第3题

场效应晶体管根据它的导电沟道可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管二种。()
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第4题

试画出P沟道耗尽型MOS场效应管的结构示意图及电路符号。
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第5题

图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路,已知MOS管的参数为,管子极问电容不计。电路元件RO=

图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路,已知MOS管的参数为,管子极问电容不计。电路元件RO=1kΩ,CO为隔直流电容,CS为旁路电容,RC1、RC2阻值很大,可忽略不计,设λ=0,试用工程估算法求满足起振条件的VCSmin值,并指出该振荡器足否有栅极电流。

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第6题

MOS场效应管是___控制的器件,双极型晶体管是___控制的器件。

A.电压,电压

B.电压,电流

C.电流,电压

D.电流,电流

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第7题

以下关于MOS管跨导的说法中,错误的是()。

A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力

B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化

C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力

D.MOS管的跨导越大,电压增益也越大

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第8题

MOS型RAM可分为______和______两大类。
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第9题

结型场效应管的文字符号为()。

A.S

B.D

C.V

D.A

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第10题

栅源电压等于0时没有导电沟道的场效应管是()。

A.耗尽场效应管

B.增强型场效应

C.结型场效应

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第11题

结型场效应管工作时,栅一源电压必须使PN结正偏。()
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