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题目内容
（请给出正确答案）
A.P沟道增强型MOS管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
答案
更多“某场效应管的转移特性如图所示，该管为()。A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强”相关的问题
第1题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
第2题
一场效应管，当uGS=-0.3V时，iD=4mA，当uGS=0.8V时，iD=3mA，试问该管的gm为多少？
第4题
场效应管电路及场效应管转移特性均示于下图，已知us=0.1sinωt(V)，试求uGS、iD及uDS。
第8题
电路如图所示。设电流源电流I＝0.5mA、VDD＝VSS＝5V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的VT＝0.8V，Kn＝1
，l = 0。则场效应管的gm ？ _______，电路的小信号电压增益约为 _______ 。
A、1.42 mA/V，12.78
B、3.02 mA/V，-27.2
C、1.42 mA/V，-12.78
D、3.02 mA/V，-12.78
第9题
A.PNP 型 Ge 管
B.PNP 型 Si 管
C.NPN 型 Si 管
D.NPN 型 Ge 管
第11题
某一线性移不变系统，其点扩展函数h(x，y)是输入为δ(x)δ(y)时系统的输出，求下述情况下的调制转移函数H(u，v)。 (1)h(x，y)=δ(x—x0)δ(y—y0)
其中R如图所示。
