一场效应管，当uGS=－0.3V时，iD=4mA，当uGS=0.8V时，iD=3mA，试问该管的gm为多少？

一场效应管，当u_GS=-0.3V时，i_D=4mA，当u_GS=0.8V时，i_D=3mA，试问该管的g_m为多少？

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发布时间：2020-09-02

更多“一场效应管，当uGS=－0.3V时，iD=4mA，当uGS=0.8V时，iD=3mA，试问该管的gm为多少？”相关的问题

第1题

场效应管电路及场效应管转移特性均示于下图，已知us=0.1sinωt（V)，试求uGS、iD及uDS。

场效应管电路及场效应管转移特性均示于下图，已知u_s=0.1sinωt(V)，试求u_GS、i_D及u_DS。

场效应管电路及场效应管转移特性均示于下图，已知us=0.1sinωt（V)，试求uGS、iD及uDS

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第2题

当UGS=0时，漏源之间存在导电沟道的称为______型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为______型场效应管。

当U_GS=0时，漏源之间存在导电沟道的称为______型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为______型场效应管。

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第3题

由N沟道结型场效应管构成的电路如下图（a)所示，已知场效应管的IDSS=2mA，UGS（off)=－3.5V。试：

由N沟道结型场效应管构成的电路如下图（a)所示，已知场效应管的IDSS=2mA，UGS（off)=－

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第4题

试说明图4-5中各种不同的场效应管在放大电路中，电源电压Ugs的极性应如何？

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第5题

某N沟道增强型MOS管的开启电压U_GS(th)=4V，为了使该场效应管工作于恒流区(即放大区)，应对其施加的直流偏置电压为( )。

A.U_GS＞4V,U_GD＜4V

B.U_GS＞4V,U_GD＞4V

C.U_GS＜4V,U_GD＜4V

D.U_GS＜4V,U_GD＞4V

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第6题

电路如图2.4.16（a)所示。已知当三极管导通时Vbe=0.7V，饱和时Vces=0.3V，β=100；OC门G1输出管截止时的漏电流约

电路如图2.4.16(a)所示。已知当三极管导通时V_be=0.7V，饱和时V_ces=0.3V，β=100；OC门G₁输出管截止时的漏电流约为50μA，饱和导通时最大允许灌电流I_LM=10mA，输出低电平V_OL=0.3V；TTL与非门输入特性如图(b)所示。要求三极管集电极输出端P为高电平时V_PH=3.5V，低电平时V_PL=0.3V。试问：

电路如图2.4.16（a)所示。已知当三极管导通时Vbe=0.7V，饱和时Vces=0.3V，β=1