动态RAM的基本存储电路，是利用MOS管栅-源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为了避免所存信息的丢失，必须定时给电容补充电荷，这一操作称为（）。

下列关于存储器的论述中，正确的是()。

A．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高

B．常用的EPR，OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成，出厂时存储内容为全“0”

C．SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息，所以不需要刷新

D．双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高

将微程序存储在RAM中的控制器是()的控制器。

A．动态微程序

B．静态微程序

C．毫微程序

D．水平微程序

A.静态RAM(SRAM)集成度低，但存取速度快且无须刷新

B.DRAM的集成度高且成本高，常做Cache用

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.DRAM中存储的数据断电后不会丢失

放大倍数A_u=u_o/u_i、输入电阻R_i和输出电阻R_o的计算公式。