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[主观题]

试用N沟道耗尽型MOS管构成一共漏放大电路并与共集电极放大电路进行比较,在电路性能上有哪些相同的特点。

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更多“试用N沟道耗尽型MOS管构成一共漏放大电路并与共集电极放大电路进行比较,在电路性能上有哪些相同的特点。”相关的问题

第1题

由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示,试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路,推导电压

放大倍数Au=uo/ui、输入电阻Ri和输出电阻Ro的计算公式。

由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示,试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路,推

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第2题

如图所示为MOS管的转移特性,请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型,说明它的开启电压uT=
(),如果是耗尽型,说明它的夹断电压uP=(),其中iD的参考方向为流进漏极。

如图所示为MOS管的转移特性,请分别说明各属于何种沟道。如果是增强型,说明它的开启电压uT=(),如

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第3题

某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第4题

结型场效应管可分为()。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第5题

结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别?
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第6题

某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第7题

在外加栅压为零时,p沟增强型MOS管半导体表面处于()状态,()导电沟道。

A.积累,无

B.耗尽,无

C.反型,有

D.积累,有

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第8题

耗尽型MOS管工作在放大状态时,其栅压可正可负。()
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第9题

在由耗尽型N沟道MOSFET管组成的放大电路中,若GSV小于零,则iD=0。()
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第10题

‎MOS管中,导电沟道的有效长度会随着所加的VDS调制:增加VDS将使漏结的耗尽区加大,从而增加了有效沟道的长度。()‏
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