SRAM通常由地址译码器、存储阵列和输入／输出电路三部分组成。 ()此题为判断题(对，错)。

(1)若地址译码器的输入A2A1A0取值为000、001、010、…、111时，其相应的输出Y0、Y1、Y2、…、Y7为高电平。试问输入A2A1A为010、011、101时，ROM相应的输出状态是什么？ (2)若已知ROM的输出为10110011，试问地址译码器的输入A2A1A0应该是什么状态？

A.①②③④

B.①②③⑤

C.①②④⑤

D.①②③④⑤

A.210

B.104

C.10

D.102

高电平为读，低电平为写)。

已知该机存储器地址空间从0连续编址，其地址空间分配如下：最低8K为系统程序区，由ROM芯片组成;紧接着40K为备用区，暂不连接芯片;而后78K为用户程序和数据空间，用静态RAM芯片组成;最后2K用于I/O设备(与主存统一编址)。现有芯片如下：

SRAM：16K×8位，其中CS：为片选信号，低电平有效，WE：为写控制信号，低电平写，高电平读。

ROM：8K×8位，其中CS：为片选信号，低电平有效，OE：为读出控制，低电平读出有效。

译码器：3―8译码器，输出低电平有效;为使能信号，低电平时译码器功能有效。

其它“与、或”等逻辑门电路自选。

(1)请问该主存需多少SRAM芯片？

(2)试画出主存芯片与CPU的连接逻辑图。

(3)写出各芯片地址分配表。

下列关于SRAM和DRAM的论述中，错误的是()。

A．SRAM通常用于实现CaChe，DRAM用于实现主存

B．由于容量大，DRAM采用行列地址复用技术，地址引脚数量仅为地址宽度的一半

C．控制线RAS和CAS是DRAM特有的，分别控制从地址线上读行地址和列地址

D．SRAM和DRAM芯片都有片选信号线CS

A.全部10位地址线

B.其中的高8位地址线

C.其中的高6位地址线

D.其中的高4位地址线

A.全部10位地址线

B.其中的高8位地址线

C.其中的高6位地址线

D.其中的高4位地址线

A.由在线高速主存储设备、近线存储设备以及备份存储设备构成

B.高速在线存储用于保证医院对大容量、高速度、高可靠的短期数据存储要求

C.备份存储设备分为在线备份存储和离线备份存储

D.目前通常采用硬盘阵列进行图像存储

E.光盘、磁带的优点是读取速度慢，数据不易出错

关于SRAM和DRAM，下列叙述中正确的是（）。

A．通常SRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容上有电荷为1，无电荷为0

B．DRAM依靠双稳态电路的两个稳定状态来分别存储0和1

C．SRAM速度较慢，但集成度稍高；DRAM速度稍快，但集成度低

D．SRAM速度较快，但集成度稍低；DRAM速度稍慢，但集成度高