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[单选题]

以下有关晶硅太阳能电池的温度和光照特性说法错误的是()

A.随着温度的升高,短路电流密度升高,开路电压下降,但光电转换效率下降。

B.温度对开路电压的影响明显大于对短路电流的影响。

C.光照强度对短路电流的影响明显大于对开路电压的影响。

D.与晶硅太阳能电池相比,GaAs太阳能电池的禁带宽度较大,所以晶硅太阳能电池具有更好的温度特性。

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更多“以下有关晶硅太阳能电池的温度和光照特性说法错误的是()”相关的问题

第1题

太阳能电池材料的种类有()。

A.晶体硅

B.非晶硅

C.化合物

D.纳米太阳能电池

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第2题

CIGS太阳能电池,在室外对太阳光暴露时,可以表现出极其()的性能,不存在非晶硅太阳能电池所看到的光致衰退现象
CIGS太阳能电池,在室外对太阳光暴露时,可以表现出极其()的性能,不存在非晶硅太阳能电池所看到的光致衰退现象

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第3题

下列哪些属于硅太阳能电池?()

A.单晶硅太阳能电池

B.染料敏化太阳能电池

C.多晶硅薄膜太阳能电池

D.非晶硅薄膜太阳能电池

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第4题

非晶硅太阳能电池中,进行光电转化的是什么层()。

A.I层

B.P层

C.N层

D.P-I-N层

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第5题

采用的非晶硅组件全光照面积的光电转换效率(以含组件边框面积计算转换效率)不得低于()。

A.0.06

B.0.08

C.0.1

D.0.12

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第6题

关于多晶硅和非晶硅电池,以下说法错误的是()

A.在扩散运动中,只有注入的少子存在很大的浓度梯度,因此扩散电流主要是由少子贡献。

B.非晶硅对可见光谱的吸收很强,是晶硅的500倍,整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍,因此非晶硅电池可做的很薄。

C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的,因此它们的基本结构是相同的。

D.与晶体硅电池相比,非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应),但其光电转化效率随温度升高下降较慢。

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第7题

下列因素中,能提高一次脱硅速度和深度的是()。

A.提高脱硅温度

B.适宜降低αK值

C.添加晶种

D.采用高压脱硅

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第8题

下列关于DR的叙述正确的是()。

A.非晶硅型FPD外形类似X线胶片的暗盒,是一种半导体探测器

B.非晶硒型平板探测器主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成

C.非晶硅平板探测器的探测元阵列的作用是捕获可见荧光并转换成电信号

D.非晶硅平板探测器中使用的碘化铯晶体的X射线吸收系数是X射线能量的函数

E.非晶硒导电特性是在处于普通日光照射下是绝缘体,在X线照射下会有导电现象,且导电率随X线强度的增加而增加

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第9题

为什么说低温低光照的太阳电池特性甚至会比高温高光照度下带来问题更严重?

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第10题

硅太阳能电池片典型厚度在()之间,正面采光面为()
硅太阳能电池片典型厚度在()之间,正面采光面为()

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第11题

关于光生伏特效应,以下说法正确的是?()
A、用适当波长的光照射没有外加偏压的非均匀半导体(如pn结)或其它半导体结构时,由于光激发和半导体内建电场的作用,使半导体内部产生电动势

B、光生伏特效应最重要的应用之一是太阳能电池

C、是光能转换成电能

D、能够产生有效的光生伏特效应,需要:光照能够产生大量的光生载流子;并能够把产生的光生电子和光生空穴有效分离

E、是电能转换成光能

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