具有(行地址选通)和(列地址选通)信号引脚的半导体存储器芯片是()。
A.SRAM
B.DRAM
C.EOROM
D.FlashMemory
A.SRAM
B.DRAM
C.EOROM
D.FlashMemory
第1题
如图所示,若低位地址(A0~A11)接在内存芯片地址引脚上,高位地址(A12~A19)进行片选译码(其中,A14和A16没有参加译码),且片选信号低电平有效,则对图所示的译码电路,不属于此译码空间的地址是()。 [*]
A.AB000H~ABFFFH
B.BB000H~BBFFFH
C.EF000H~EFFFFH
D.FE000H~FEFFFH
第6题
地址总线A0(高位)~A15(低位),用4K×4位的存储芯片组成16KB存储器,则产生片选信号的译码器的输入地址线应该是()。
A.A2A3
B.A0A1
C.A12A13
D.A14A15
第7题
下列关于SRAM和DRAM的论述中,错误的是()。
A.SRAM通常用于实现CaChe,DRAM用于实现主存
B.由于容量大,DRAM采用行列地址复用技术,地址引脚数量仅为地址宽度的一半
C.控制线RAS和CAS是DRAM特有的,分别控制从地址线上读行地址和列地址
D.SRAM和DRAM芯片都有片选信号线CS
第8题
A.片选信号 B.读外RAM相应存储单元的地址信号
C.读外RAM操作信号 D.信号
第10题
第11题
A.绝对引用是指公式中的单元格引用地址不随公式所在位置的变化而改变
B.不同工作表中的单元格可以相互引用,但是不同工作簿中的单元格不可以相互引用
C.相对引用是指公式中的单元格引用地址会随公式所在位置的变化而改变
D.只能引用同一工作表的单元格,不能引用不同工作表的单元格
E.单元格引用中,行标识是相对引用而列标识是绝对引用的属于混合引用