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[主观题]

热中子被质子散射.姑且设作用势为球方势阱,且与自旋无关,即 已知势阱中存在一个束缚态(l=0)能级,其值为

热中子被质子散射.姑且设作用势为球方势阱,且与自旋无关,即

热中子被质子散射.姑且设作用势为球方势阱,且与自旋无关,即    已知势阱中存在一个束缚态(l=0)已知势阱中存在一个束缚态(l=0)能级,其值为

ε=-2.23MeV

(氘核结合能).热中子动能约为热中子被质子散射.姑且设作用势为球方势阱,且与自旋无关,即    已知势阱中存在一个束缚态(l=0).势阱宽(核力力程)a≈2×10-13cm,V。约25~30MeV.试证明散射只在s道(l=0)进行,总截面可以近似表示成

热中子被质子散射.姑且设作用势为球方势阱,且与自旋无关,即    已知势阱中存在一个束缚态(l=0)

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更多“热中子被质子散射.姑且设作用势为球方势阱,且与自旋无关,即 已知势阱中存在一个束缚态(l=0)能级,其值为”相关的问题

第1题

在作用势V(r)很弱的条件下,证明相移δl的Born近似公式 (1) 并用来处理球方势阱(垒) (2) 的低能散射(

在作用势V(r)很弱的条件下,证明相移δl的Born近似公式

在作用势V(r)很弱的条件下,证明相移δl的Born近似公式    (1)  并用来处理球方势阱(垒(1)

并用来处理球方势阱(垒)

在作用势V(r)很弱的条件下,证明相移δl的Born近似公式    (1)  并用来处理球方势阱(垒(2)

的低能散射(在作用势V(r)很弱的条件下,证明相移δl的Born近似公式    (1)  并用来处理球方势阱(垒)问题.

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第2题

质量为m的一个粒子在(一维)无限深方势阱中,开始时处在基态.在t=0时把一块“砖”丢到势阱中,因此
质量为m的一个粒子在(一维)无限深方势阱中,开始时处在基态.在t=0时把一块“砖”丢到势阱中,因此

势变成

质量为m的一个粒子在(一维)无限深方势阱中,开始时处在基态.在t=0时把一块“砖”丢到势阱中,因此质

其中V0<<E1.经过时间T后,砖被移走,测量粒子的能量,求得E2的概率(在一级微扰理论中).

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第3题

一个氧分子被封闭在一个盒子内。按一维无限深方势阱计算,并设势阱宽度为10cm。

一个氧分子被封闭在一个盒子内。按一维无限深方势阱计算,并设势阱宽度为10cm。

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第4题

有一种简化的“一维氦原子”模型,原子核一电子以及电子-电子间的作用势均用δ势阱(垒)表示,总能量算符取为

有一种简化的“一维氦原子”模型,原子核一电子以及电子-电子间的作用势均用δ势阱(垒)表示,总能量算符取为

有一种简化的“一维氦原子”模型,原子核一电子以及电子-电子间的作用势均用δ势阱(垒)表示,总能量算符(1)

其中x1、x2表示电子1和2的坐标,Ze是原子核电荷.如采用自然单位,即距离以a0/Z为单位(a0是Bohr半径),能量以Z2e2/a0为单位,则H可以简化成

有一种简化的“一维氦原子”模型,原子核一电子以及电子-电子间的作用势均用δ势阱(垒)表示,总能量算符(2)

如视电子-电子作用势(上式中最后一项)为微扰,试求体系的能级(一级近似),并和三维氦原子的微扰论结果比较.

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第5题

设粒子处在[0, a]范围内的一维无限深方势阱中,波函数为,则粒子能量的可能测量值为______

设粒子处在[0, a]范围内的一维无限深方势阱中,波函数为A、,则粒子能量的可能测量值为______

A、设粒子处在[0, a]范围内的一维无限深方势阱中,波函数为,则粒子能量的可能测量值为______A、

B、设粒子处在[0, a]范围内的一维无限深方势阱中,波函数为,则粒子能量的可能测量值为______A、设粒子处在[0, a]范围内的一维无限深方势阱中,波函数为,则粒子能量的可能测量值为______A、

C、设粒子处在[0, a]范围内的一维无限深方势阱中,波函数为,则粒子能量的可能测量值为______A、设粒子处在[0, a]范围内的一维无限深方势阱中,波函数为,则粒子能量的可能测量值为______A、设粒子处在[0, a]范围内的一维无限深方势阱中,波函数为,则粒子能量的可能测量值为______A、

D、设粒子处在[0, a]范围内的一维无限深方势阱中,波函数为,则粒子能量的可能测量值为______A、设粒子处在[0, a]范围内的一维无限深方势阱中,波函数为,则粒子能量的可能测量值为______A、设粒子处在[0, a]范围内的一维无限深方势阱中,波函数为,则粒子能量的可能测量值为______A、设粒子处在[0, a]范围内的一维无限深方势阱中,波函数为,则粒子能量的可能测量值为______A、

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第6题

质量为μ的粒子被中心势场 ,α>0 散射.

质量为μ的粒子被中心势场

质量为μ的粒子被中心势场  ,α>0  散射.质量为μ的粒子被中心势场    ,α>0    散射.,α>0

散射.

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第7题

设粒子处于无限深方势阱中,粒子波函数为,A为归一化常数,(a) 求A;(b) 求测得粒子处于能量本征

设粒子处于无限深方势阱设粒子处于无限深方势阱中,粒子波函数为,A为归一化常数,(a) 求A;(b) 求测得粒子处于能量本征中,粒子波函数为设粒子处于无限深方势阱中,粒子波函数为,A为归一化常数,(a) 求A;(b) 求测得粒子处于能量本征,A为归一化常数,(a) 求A;(b) 求测得粒子处于能量本征态设粒子处于无限深方势阱中,粒子波函数为,A为归一化常数,(a) 求A;(b) 求测得粒子处于能量本征的概率设粒子处于无限深方势阱中,粒子波函数为,A为归一化常数,(a) 求A;(b) 求测得粒子处于能量本征。特别是设粒子处于无限深方势阱中,粒子波函数为,A为归一化常数,(a) 求A;(b) 求测得粒子处于能量本征作图,比较设粒子处于无限深方势阱中,粒子波函数为,A为归一化常数,(a) 求A;(b) 求测得粒子处于能量本征曲线,从设粒子处于无限深方势阱中,粒子波函数为,A为归一化常数,(a) 求A;(b) 求测得粒子处于能量本征来说明两条曲线非常相似,即设粒子处于无限深方势阱中,粒子波函数为,A为归一化常数,(a) 求A;(b) 求测得粒子处于能量本征几乎与基态设粒子处于无限深方势阱中,粒子波函数为,A为归一化常数,(a) 求A;(b) 求测得粒子处于能量本征完全相同。

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第8题

关于量子阱与二维电子气,以下说法正确的是?()

A.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场为量子阱

B.量子阱中的电子在垂直异质结界面方向上的运动受限,而在与异质结界面平行的二维平面内的运动是自由的

C.把量子阱中的电子称为二维电子气(2DEG)

D.n+—AlGaAs与本征GaAs构成异质结时,在异质结界面处GaAs一侧形成了一个三角形的势阱

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第9题

同上题,设质子自旋“向上”(指向z轴方向,即入射方向),入射中子自旋指向(θ,φ)方向,求低能s波散射总截面.

同上题,设质子自旋“向上”(指向z轴方向,即入射方向),入射中子自旋指向(θ,φ)方向,求低能s波散射总截面.

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第10题

设有一电子在宽为0.2nm的一维无限深的方势阱中.

设有一电子在宽为0.2nm的一维无限深的方势阱中.

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