MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的()。

第1题

MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的饱和区对应后者的()

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.闭合

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第2题

当MOSFET栅极电压未达到阈值电压值时，流过漏极的电流为零。（)

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第3题

对n沟增强型MOSFET而言，源极接地，半导体表面达到强反型后，___在沟道中______进行输运。

A.空穴，由源端到漏端

B.空穴，由漏端到源端

C.电子，由源端到漏端

D.电子，由漏端到源端

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第4题

测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下，其V_T或V_P值也已知，试判断该管工作在什么区域(

测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值如下，其V_T或V_P值也已知，试判断该管工作在什么区域（

饱和区，可变电阻区，预夹断临界点或截止)。

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第5题

伏安特性是电阻与电流的关系特性。（)

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第6题

如果一个二端网络的伏安特性与另一个二端网络的伏安特性完全相同，则称这两个二端网络对外电路是互为等效的。（)

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第7题

单结晶体管的三个电极分别为()。

A.发射极、基极、基极

B.发射极、基极、集电极

C.发射极、基极、栅极

D.发射极、基极、漏极

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第8题

开关电源中常用的功率开关器件主要有()。

开关电源中常用的功率开关器件主要有（)。

A、双极型晶体管BJT

B、快速晶闸管SCR

C、场效应管MOSFET

D、绝缘栅双极性晶体管IGBT

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第9题

电路中，电阻的伏安特性是一条直线。（)

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第10题

加到二极管两端的电压与通过二极管的电流之间的关系曲线，叫做二极管的_____曲线。

A.伏安特性

B.反向击穿

C.单向导通

D.外特性

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第11题

在下列伏安特性器件中，具有理想混频特性的器件是（)。 A．i=au B．i=au2 C．i=au3 D．i=a0+a1u+a2u2

在下列伏安特性器件中，具有理想混频特性的器件是( )。

A．i=au B．i=au²C．i=au³D．i=a₀+a₁u+a₂u²

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