PN结加正向电压时，空间电荷区将()。

PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。()

A.变窄

B.变宽

C.基本不变

D.不一定

A.不变

B.变宽

C.变窄

PN结加正向电压时电阻( )，加反向电压时电阻( )，PN结具有( )特性。

A.由P型和N型半导体通过一定的方式结合而成

B.PN结的基本特性-----单向导电性.只有在外加电压时才能显现出来

C.PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通

D.PN结加反向电压时，反向电流值很大,PN结截止

A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上

B.对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展

C.平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等

D.平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似

有硅pn结，p区和n区的掺杂浓度分别为N_A=9×10¹⁵cm^-3和N_D=2×10¹⁶cm^-3；p区中的空穴和电子迁移率分别为350cm²/(V·s)和500cm²/(V·s)，n区中空穴和电子迁移率分别为300cm²/(V·s)和900cm²/(V·s)；设两区内非平衡载流子的寿命为lμs，pn结截面积为10^-2cm²。当外加正向电压V_F=0.65V时，