关于PN结，下列（）说法是错误的。

A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上

B.对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展

C.平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等

D.平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似

A.PN结是P型，N型半导体混合制成的

B.PN结是P型，N型半导体相接触形成的

C.PN结是P型半导体中掺入少量N型半导体形成

D.PN结是N型半导体中掺入少量P型半导体形成的

A.没有固定要求

B.要想快速测温,应该选用利用PN结形成的集成温度传感器

C.要想快速测温，应该选用热电阻式温度传感器

D.要想快速测温，应该选用热电偶温度传感器

A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一

B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度，要想获得大的注入比就要求

C.决定异质pn结注入比的是 ，通常可获得较大的注入比

D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比

A.二极管温度传感器的原理是PN结的电流随温度而变化

B.二极管温度传感器的原理是PN结的电压随温度而变化

C.三极管不可以代替二极管做成温度传感器

D.其它选项都对

A.在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。

B.非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。

C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。

D.与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应)，但其光电转化效率随温度升高下降较慢。

A.PN结

B.P型半导体

C.绝缘体

D.N型半导体

A.对拉结件进行试验验证

B.选用安全、可靠、耐久的拉结件

C.拉结件布置和锚固构造须详细设计

D.夹心保温板应该一次制作，整体成形

A、用适当波长的光照射没有外加偏压的非均匀半导体(如pn结)或其它半导体结构时，由于光激发和半导体内建电场的作用，使半导体内部产生电动势

B、光生伏特效应最重要的应用之一是太阳能电池

C、是光能转换成电能

D、能够产生有效的光生伏特效应，需要：光照能够产生大量的光生载流子;并能够把产生的光生电子和光生空穴有效分离

E、是电能转换成光能

A.有腐蚀性介质走管程

B.有毒性的介质走管程

C.压力高的介质走壳程

D.不清洁的易于结垢的介质走管程