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MOS场效应晶体管中的MOS电容随工作状态是如何变化的？
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第4题
A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高
D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高
第7题
图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路，已知MOS管的参数为
，管子极问电容不计。电路元件RO=1kΩ，CO为隔直流电容，CS为旁路电容，RC1、RC2阻值很大，可忽略不计，设λ=0，试用工程估算法求满足起振条件的VCSmin值，并指出该振荡器足否有栅极电流。
第8题
A.刷新
B.存储
C.充电
D.放电
第9题
第11题
A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0
B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀
C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢
D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止
